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FDS7764A-NL 发布时间 时间:2025/7/12 19:45:08 查看 阅读:23

FDS7764A-NL是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,采用TO-252封装形式。该器件主要应用于需要高效率和低导通电阻的场景中,例如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等。其优化的设计使得该MOSFET在高频开关应用中表现出色,同时具备较低的导通损耗和开关损耗。
  FDS7764A-NL的最大漏源电压为60V,能够满足多种中低压应用场景的需求。此外,它还具有快速开关特性和低栅极电荷,从而提高了系统的整体效率。由于其出色的电气性能和可靠性,这款MOSFET广泛用于消费电子、工业控制以及通信设备领域。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:13.8A
  导通电阻(Rds(on)):19mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:12nC(典型值)
  输入电容:570pF(典型值)
  总功耗:2.1W
  工作结温范围:-55°C至+175°C

特性

1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于降低功率损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关速度,适合高频应用。
  3. 高雪崩击穿能量能力,增强了器件的鲁棒性。
  4. 符合RoHS标准,绿色环保。
  5. 小巧的TO-252封装,节省PCB空间。
  6. 广泛的工作温度范围,适应多种恶劣环境。
  7. 热稳定性良好,确保长时间运行中的可靠性。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动
  4. 负载开关
  5. 电池管理
  6. 工业自动化控制
  7. 消费类电子产品中的电源管理模块

替代型号

FDS7764ANL, FDS7764NL, FDS7764A

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