FDS7764A-NL是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,采用TO-252封装形式。该器件主要应用于需要高效率和低导通电阻的场景中,例如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等。其优化的设计使得该MOSFET在高频开关应用中表现出色,同时具备较低的导通损耗和开关损耗。
FDS7764A-NL的最大漏源电压为60V,能够满足多种中低压应用场景的需求。此外,它还具有快速开关特性和低栅极电荷,从而提高了系统的整体效率。由于其出色的电气性能和可靠性,这款MOSFET广泛用于消费电子、工业控制以及通信设备领域。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:13.8A
导通电阻(Rds(on)):19mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:12nC(典型值)
输入电容:570pF(典型值)
总功耗:2.1W
工作结温范围:-55°C至+175°C
1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于降低功率损耗,提升系统效率。
2. 快速开关速度,适合高频应用。
3. 高雪崩击穿能量能力,增强了器件的鲁棒性。
4. 符合RoHS标准,绿色环保。
5. 小巧的TO-252封装,节省PCB空间。
6. 广泛的工作温度范围,适应多种恶劣环境。
7. 热稳定性良好,确保长时间运行中的可靠性。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 负载开关
5. 电池管理
6. 工业自动化控制
7. 消费类电子产品中的电源管理模块
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