时间：2025/9/6 13:21:53
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HZK15JTR 是一款由 Hefei Chipown Electronics Co., Ltd. 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及各类功率控制电路中。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高效率和良好的热稳定性。HZK15JTR 采用 TO-252（DPAK）封装形式，适合表面贴装（SMT），在中等功率应用中具有较高的性价比。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：150V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A（Tc=25℃）
脉冲漏极电流（Idm）：320A
导通电阻（Rds(on)）：15mΩ（典型值）
功率耗散（Pd）：100W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
HZK15JTR 功率 MOSFET 具备多项优异特性，适用于高效率和高可靠性的功率转换系统。其导通电阻 Rds(on) 仅为 15mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件的漏极电流能力高达 80A，在 TO-252 封装中具备良好的电流承载能力，能够支持较高功率的应用需求。
该 MOSFET 支持高达 ±20V 的栅极电压，使其在驱动过程中具有较高的稳定性和抗干扰能力。此外，HZK15JTR 还具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定运行，适用于要求高可靠性的工业和车载应用。
采用先进的沟槽式技术制造，HZK15JTR 在开关速度和导通压降之间实现了良好的平衡，适用于高频开关应用。同时，该器件具备较低的输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss），有助于降低驱动损耗和提升开关性能。
TO-252（DPAK）封装设计使其适用于表面贴装工艺，便于自动化生产和良好的散热性能。整体设计使其在电源转换器、电机控制、电池管理系统、DC-DC 转换器和负载开关等应用中表现出色。
HZK15JTR 主要用于需要高效能和高可靠性的功率电子系统中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关、逆变器、UPS 系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。该器件也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具、电池供电设备和电源管理系统。凭借其高电流能力和低导通电阻，HZK15JTR 在高效率电源转换和功率控制领域具有广泛的应用前景。
SiHF15N150E, IXFH80N150P, FQA80N150, HZK15JTRF
