您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HZF2.2BPTR

HZF2.2BPTR 发布时间 时间:2025/9/7 14:27:37 查看 阅读:9

HZF2.2BPTR 是一款表面贴装(SMD)封装的双向击穿二极管(TVS - 瞬态电压抑制二极管),主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌电压和瞬态电压的损害。该器件具有快速响应时间和高浪涌吸收能力,适用于对敏感电子元件进行过压保护的场景。HZF2.2BPTR 的击穿电压约为2.2V,适合用于低压电路的保护,如通信设备、便携式电子产品、计算机外设等。

参数

工作电压: 2.2V
  击穿电压(Min): 2.56V
  击穿电压(Max): 3.2V
  最大钳位电压: 5.0V
  最大反向工作电压: 2.2V
  最大脉冲电流(8/20μs): 5A
  最大反向电容: 200pF
  响应时间: <1ns
  封装形式: SOD-323
  极性: 双向

特性

HZF2.2BPTR 采用先进的硅半导体技术制造,具有优异的瞬态电压抑制性能。其主要特性包括快速响应时间(小于1纳秒),能够在电压突变发生时迅速将多余的能量导通到地,从而保护后级电路免受损坏。该器件的击穿电压为2.2V,在低于此电压时,器件处于高阻态,几乎不影响电路的正常工作;而当电压超过击穿阈值时,器件迅速导通,将电压限制在安全范围内。此外,HZF2.2BPTR 具有低漏电流的特点,在正常工作条件下其反向漏电流通常低于1μA,不会对电路造成额外的负担。
  另一个重要特性是其高浪涌承受能力,能够承受高达5A(8/20μs波形)的瞬态电流,适用于多种工业和消费类电子设备的保护需求。同时,该器件的反向电容较低(最大200pF),适用于高频信号线路的保护,不会对信号完整性造成显著影响。SOD-323 封装体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用,且具有良好的热稳定性和可靠性。

应用

HZF2.2BPTR 主要用于需要静电放电(ESD)和瞬态电压保护的低压电路中。典型应用包括便携式电子设备(如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备)的接口保护,例如USB、HDMI、音频接口等。此外,该器件也广泛应用于通信设备、数据传输线路、计算机外围设备、工业控制系统以及汽车电子中的敏感电路保护。由于其低电容特性,HZF2.2BPTR 特别适合用于高速数据线的保护,确保信号传输的稳定性。在物联网(IoT)设备和智能家居产品中,HZF2.2BPTR 也常用于防止静电和瞬态电压对微处理器、传感器和通信模块造成损害。

替代型号

PESD2.2BT2R, SMBJ2.2A, ESD5Z2.2B, NUP2105L

HZF2.2BPTR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价