HZF11BPTR 时间：2025/9/7 10:56:13 阅读：13

HZF11BPTR 是一款由 Renesas（瑞萨电子）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于多种高效率电源系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：11A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：60V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 22mΩ（在 VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

HZF11BPTR 具有低导通电阻，这使得在导通状态下功率损耗极低，有助于提高整体系统效率。
　　该器件的高耐压能力（60V）使其适用于多种中高压电源应用，如 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制电路。
　　其采用 TO-252 封装，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
　　此外，HZF11BPTR 提供了快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高高频操作下的效率。
　　该 MOSFET 还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了在高应力工作条件下的可靠性。

应用

HZF11BPTR 广泛应用于各类电源管理系统，包括同步整流器、DC-DC 转换器和负载开关。
　　它也适用于电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关模块。
　　由于其高效率和良好的热性能，该器件常用于便携式设备、电源适配器和 LED 驱动器等高功率密度设计中。
　　此外，该 MOSFET 可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块。