HYUF6404C 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度存储解决方案的一部分,广泛应用于计算机系统、服务器、嵌入式设备以及其他需要高速数据存储的场景。该芯片通常属于DRAM系列中的某个特定规格,可能是基于x4或x8的数据总线宽度设计,适用于需要大容量缓存或主存的场合。
容量:64Mbit
组织结构:x4/x8/x16(根据具体型号)
电压:2.3V - 3.6V(典型值为3.3V)
访问时间:5.4ns(最大)
封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
工作温度范围:0°C 至 70°C(商业级)
时钟频率:可支持高达166MHz
刷新周期:64ms
数据保持电压:2V
最大功耗:典型值为1.5W
高性能存储器:HYUF6404C 提供高速数据访问能力,适用于对性能要求较高的系统。
低功耗设计:该芯片在保证高速度的同时,采用了低功耗技术,适合便携式和电池供电设备。
宽电压范围:支持2.3V至3.6V的供电电压,提高了其在不同平台上的兼容性。
工业标准封装:采用TSOP封装形式,便于在PCB上安装和布线,同时也支持高密度的内存模块设计。
可靠性和稳定性:通过严格的测试和验证,确保在各种工作条件下都能稳定运行。
兼容性强:符合JEDEC标准,可以与多种控制器和主板兼容,提升了其在市场上的通用性。
适用于多种应用场景:由于其高性能和低功耗的特性,HYUF6404C 可广泛用于个人电脑、服务器、工业控制设备、通信设备等。
HYUF6404C 主要应用于以下领域:
? 个人电脑和笔记本电脑中的主内存模块;
? 服务器和工作站的内存扩展模块;
? 工业控制系统中的高速缓存存储器;
? 网络设备和路由器中的数据缓冲存储器;
? 视频游戏机和多媒体设备中的临时存储器;
? 嵌入式系统中需要大容量、高速存储的场景;
? 高性能计算设备中的内存模块。
HY57V641620BTC-6A, MT48LC16M16A2B4-6A, KM48V51216A2B4-6