类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：150A（在TC=25℃）
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.7mΩ（典型值，当VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-247

6361M MOSFET具有多个显著的性能优势。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可以有效降低功率损耗，提高系统效率，从而减少发热，提升整体性能。其次，该器件采用了先进的沟槽栅极结构技术，确保了快速开关性能，从而适应高频操作，减少开关损耗。
　　此外，6361M的封装形式为TO-247，这种封装具备良好的热管理和机械稳定性，有助于将热量迅速传导至散热器，从而维持稳定的运行温度。TO-247封装也广泛用于高功率应用场景，具备良好的行业兼容性。
　　器件的最大漏极电流为150A，在适当的散热条件下能够保持稳定运行，非常适合大功率应用。其最大漏-源电压为60V，适用于中高压功率转换场景，例如电动工具、电动汽车系统以及工业电机控制。
　　6361M还具备良好的抗雪崩击穿能力，确保在瞬态负载或高能脉冲条件下的稳定运行。同时，其±20V的栅极电压耐受能力允许使用多种驱动电路，增加了设计灵活性。

6361M MOSFET主要应用于需要高效率、大电流和高频开关的功率电子系统。常见用途包括但不限于：高性能DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电动车充电器、工业自动化控制系统、不间断电源（UPS）以及功率放大器等。
　　由于其出色的导通特性和热稳定性，6361M非常适合用于电动工具、无刷直流电机（BLDC）驱动器以及新能源汽车相关系统中。在这些应用中，器件需要承受高电流和频繁的开关操作，而6361M的性能可以有效满足这些需求。
　　此外，该MOSFET也可用于电源管理模块中的同步整流部分，以提高转换效率并减少发热。在服务器电源、通信设备电源以及LED照明驱动器中，6361M同样具备良好的应用表现。

TKA150N60X（东芝）、IRF1405（英飞凌）、SiR178DP（Vishay）、FDMS86181（安森美）