HYSD16162BD85E 时间：2025/9/2 1:22:32 阅读：11

HYSD16162BD85E是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的高性能存储器芯片，广泛用于工业控制、通信设备以及嵌入式系统中。该芯片属于SRAM（静态随机存取存储器）类别，提供高速数据访问和可靠的数据存储能力。HYSD16162BD85E采用先进的CMOS工艺制造，具备低功耗、高稳定性等优点，适用于对性能和可靠性要求较高的应用场景。

参数

容量：2Mbit
　　组织方式：16位×16k
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：8.5ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　输入/输出电平：兼容LVTTL
　　封装引脚数：54
　　最大工作频率：100MHz

特性

HYSD16162BD85E芯片采用高性能CMOS技术，具有快速访问时间和低功耗的特点。该芯片的访问时间仅为8.5ns，使其适用于高速缓存和实时数据处理系统。其16位×16k的组织结构提供了高效的数据存取能力，并支持LVTTL输入/输出电平，便于与多种主控芯片进行接口设计。
　　此外，该芯片的电源电压为3.3V，相较于传统的5V SRAM芯片，功耗更低，适用于对能耗敏感的便携式设备和嵌入式系统。其TSOP封装形式不仅节省空间，而且具有良好的热稳定性和机械可靠性，适合工业级工作环境。
　　HYSD16162BD85E的内部结构经过优化设计，支持异步操作，确保在复杂环境下仍能保持稳定的数据读写性能。该芯片还具有自动省电模式，能够在不使用时降低功耗，从而延长设备的电池寿命。