容量：256MB
　　数据宽度：16位
　　封装：134-ball FBGA
　　电压：1.7V - 3.3V 多电压支持
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　时钟频率：高达166MHz
　　接口类型：Mobile DDR SDRAM
　　封装尺寸：6.0mm x 8.0mm
　　制造工艺：先进CMOS工艺

HYMP164S64CP6-Y5-C 采用先进的CMOS制造工艺，具有出色的性能和能效表现。其多电压支持功能使其能够适应不同系统平台的需求，增强了设计的灵活性。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，有效延长了移动设备的电池续航时间。此外，其小型化的FBGA封装形式不仅节省空间，还提高了设备的集成度和稳定性，适用于高密度电路布局。
　　在性能方面，HYMP164S64CP6-Y5-C 提供高达166MHz的时钟频率，支持突发传输模式，提升了数据传输效率。其设计符合JEDEC标准，确保了与其他兼容设备的互操作性。此外，芯片内置的温度传感器可监测工作温度并自动调节刷新率，从而提升系统的稳定性和可靠性。
　　为了适应移动设备对低功耗的需求，HYMP164S64CP6-Y5-C 支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式和待机模式。在不活跃状态下，芯片可自动进入低功耗状态，从而显著降低整体系统功耗。

HYMP164S64CP6-Y5-C 常用于各种移动设备和嵌入式系统中作为主存储器或缓存使用。其典型应用场景包括智能手机、平板电脑、电子书阅读器、便携式游戏机、数码相机、GPS导航设备等。由于其低功耗和高集成度的特性，该芯片也广泛应用于工业自动化、医疗设备、智能穿戴设备和物联网（IoT）设备中，为这些设备提供高效、稳定的数据存储与处理能力。
　　此外，该芯片适用于需要快速启动和高效数据处理能力的系统，例如汽车信息娱乐系统、车载导航系统、安防监控设备等。在通信设备中，HYMP164S64CP6-Y5-C 也可用于无线接入点、路由器、网关等设备中，为数据缓存和临时存储提供可靠的内存支持。

AS4C16M16A2B4-6A, MT48LC16M16A2B4-6A, K4T1G164QE