时间：2025/9/2 17:33:27
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HYMP112U64CP8-S6 是由SK Hynix（海力士）生产的一款移动式DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于低功耗、高性能的LPDDR2 SDRAM（低功耗双倍数据速率第二代同步动态随机存取存储器）产品系列。该芯片广泛应用于智能手机、平板电脑、便携式电子设备等对功耗和性能都有较高要求的场景。
容量：1GB（128M x 8）
电压：1.2V ~ 1.8V（核心电压）
接口类型：LPDDR2
数据速率：800Mbps
封装类型：FBGA
引脚数：100-pin
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据宽度：8位
封装尺寸：8mm x 12mm x 0.8mm
工艺制程：约40nm
HYMP112U64CP8-S6 的主要特性之一是其低功耗设计，适用于电池供电设备。该芯片支持多种电压模式（1.2V 和 1.8V），可根据系统需求进行优化，以降低功耗。此外，其高速数据传输速率（最高可达800Mbps）确保了在处理多媒体内容、图形渲染和数据传输时的高效性。采用100-pin FBGA封装形式，使得芯片在有限的空间内实现高密度集成，适用于紧凑型便携设备的设计。
该芯片还具备良好的热稳定性与电气性能，在高温或低温环境下仍能保持稳定运行。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级和消费级应用。此外，HYMP112U64CP8-S6采用了先进的DRAM制造工艺，具有较高的可靠性和较长的使用寿命，适合长时间运行的设备使用。
HYMP112U64CP8-S6 主要应用于需要高性能和低功耗内存的便携式电子产品中，例如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、嵌入式系统、便携式游戏机以及工业控制设备等。在这些设备中，该芯片能够提供高效的内存支持，帮助处理器快速访问数据，从而提升整体系统性能。此外，其低功耗特性也有助于延长设备的电池续航时间，提高用户体验。
由于其支持多种电压模式，并具备良好的热稳定性，该芯片也适用于对功耗、温度和空间有严格要求的工业应用，如智能终端、数据采集设备、医疗电子设备和车载导航系统等。在这些应用中，HYMP112U64CP8-S6 能够提供稳定、可靠的内存支持，确保设备长时间稳定运行。
MT48LC16M16A2B4-6A, KLM8G1GETF-B041
