HYMP112U64CP8-S6 是由SK Hynix(海力士)生产的一款移动式DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于低功耗、高性能的LPDDR2 SDRAM(低功耗双倍数据速率第二代同步动态随机存取存储器)产品系列。该芯片广泛应用于智能手机、平板电脑、便携式电子设备等对功耗和性能都有较高要求的场景。
容量:1GB(128M x 8)
电压:1.2V ~ 1.8V(核心电压)
接口类型:LPDDR2
数据速率:800Mbps
封装类型:FBGA
引脚数:100-pin
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
数据宽度:8位
封装尺寸:8mm x 12mm x 0.8mm
工艺制程:约40nm
HYMP112U64CP8-S6 的主要特性之一是其低功耗设计,适用于电池供电设备。该芯片支持多种电压模式(1.2V 和 1.8V),可根据系统需求进行优化,以降低功耗。此外,其高速数据传输速率(最高可达800Mbps)确保了在处理多媒体内容、图形渲染和数据传输时的高效性。采用100-pin FBGA封装形式,使得芯片在有限的空间内实现高密度集成,适用于紧凑型便携设备的设计。
该芯片还具备良好的热稳定性与电气性能,在高温或低温环境下仍能保持稳定运行。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级和消费级应用。此外,HYMP112U64CP8-S6采用了先进的DRAM制造工艺,具有较高的可靠性和较长的使用寿命,适合长时间运行的设备使用。
HYMP112U64CP8-S6 主要应用于需要高性能和低功耗内存的便携式电子产品中,例如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、嵌入式系统、便携式游戏机以及工业控制设备等。在这些设备中,该芯片能够提供高效的内存支持,帮助处理器快速访问数据,从而提升整体系统性能。此外,其低功耗特性也有助于延长设备的电池续航时间,提高用户体验。
由于其支持多种电压模式,并具备良好的热稳定性,该芯片也适用于对功耗、温度和空间有严格要求的工业应用,如智能终端、数据采集设备、医疗电子设备和车载导航系统等。在这些应用中,HYMP112U64CP8-S6 能够提供稳定、可靠的内存支持,确保设备长时间稳定运行。
MT48LC16M16A2B4-6A, KLM8G1GETF-B041