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HYMP112S64CR6-S6 发布时间 时间:2025/9/2 3:33:21 查看 阅读:6

HYMP112S64CR6-S6 是由SK hynix(海力士)生产的一款高性能移动DRAM(动态随机存取存储器)芯片,主要用于移动设备,如智能手机和平板电脑。该芯片属于LPDDR2(低功耗双数据率2)系列,提供高带宽和低功耗特性,适合需要高效能和低功耗的移动应用场景。

参数

容量:1GB(128M x 8)
  类型:LPDDR2 SDRAM
  电压:1.2V ~ 1.8V
  频率:667MHz
  数据速率:1334Mbps
  封装类型:FBGA
  引脚数:100
  工作温度:-40°C ~ 85°C

特性

HYMP112S64CR6-S6 具有低功耗特性,适用于电池供电设备,能够在高性能模式和低功耗模式之间切换,以优化能耗。其1334Mbps的数据速率能够提供高效的数据传输能力,支持复杂的多任务处理和高清视频播放。此外,该芯片采用小型FBGA封装,节省空间,适合紧凑型移动设备的设计。其高稳定性和可靠性使其在各种环境下都能保持良好的运行状态。

应用

该芯片广泛应用于智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器和其他需要高性能、低功耗内存的移动设备。

替代型号

HYMP112S64PQ6-S6, HYMP112S64CQ6-S6, MT48LC16M16A2B4-6A

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