制造商：AMD
　　系列：Am28F
　　存储容量：1 Mbit
　　存储结构：128K × 8
　　接口类型：并行（Parallel）
　　供电电压：4.5V ~ 5.5V
　　工作温度范围：0°C ~ +70°C
　　封装/外壳：40-DIP（Dual In-line Package）
　　访问时间：120 ns
　　编程电压：内部电荷泵生成所需高压
　　擦除方式：电气扇区擦除/整片擦除
　　写保护功能：有
　　封装宽度：0.600"（15.24mm）
　　引脚数：40
　　技术工艺：CMOS
　　非易失性：是
　　可重复擦写次数：约10万次
　　数据保持时间：10年（典型值）

AM28F010B-120JC具备多项关键特性，使其在嵌入式非易失性存储领域表现出色。首先，它采用了单电源+5V供电设计，无需额外的VPP编程电压，简化了系统电源设计，并降低了整体成本。这使得它特别适合于使用标准5V逻辑系统的应用场合。其次，该芯片内建高效的电荷泵电路，能够在内部生成编程和擦除所需的高压（通常为12V左右），从而完全支持在线系统编程（ISP）功能，允许用户在不拆卸芯片的情况下进行固件升级。
　　该器件支持两种主要的操作模式：读取模式和编程/擦除模式。在正常运行时，其行为类似于标准的ROM或EPROM，提供快速的数据读取能力；而在需要更新内容时，可通过向特定地址写入特定命令序列来激活编程或擦除操作。这种命令集驱动的方式提高了操作的安全性，避免了误操作导致的数据损坏。AM28F010B支持按扇区（Sector）或整片（Bulk）擦除，其中扇区大小一般为16KB或32KB，提供了灵活的擦除粒度，便于管理不同大小的程序模块。
　　另一个重要特性是其硬件级别的写保护机制。通过将特定引脚（如RESET或WE）拉高或拉低，可以启用写保护功能，防止在上电复位过程中或系统异常时发生意外写入。此外，该芯片具备较高的耐久性和数据保持能力，标称可承受至少10万次的擦写周期，数据在断电后可保存长达10年以上，满足工业级应用的长期稳定性需求。
　　AM28F010B还具备良好的温度适应性，工作温度范围为0°C至+70°C，符合商业级应用标准。其40引脚DIP封装便于手工焊接和测试，在原型开发和小批量生产中具有优势。虽然该芯片的速度（120ns访问时间）相较于现代高速闪存较慢，但对于许多传统控制系统而言已经足够。最后，该芯片与多种微处理器和微控制器兼容，支持通用的地址/数据总线连接方式，集成简便，文档资料丰富，开发者生态成熟，有利于快速完成系统设计和调试。

AM28F010B-120JC主要用于需要可靠非易失性存储的各种嵌入式系统中。典型应用包括工业自动化控制设备，例如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块，这些系统通常依赖稳定的固件存储来保证长时间无故障运行。在通信领域，该芯片可用于路由器、交换机、调制解调器等网络设备中存储启动代码（Bootloader）和配置信息，确保设备在断电重启后能正确加载操作系统和参数设置。
　　在消费电子产品方面，AM28F010B曾广泛应用于老式电视机、机顶盒、DVD播放器和音响设备中，用于存放用户界面程序和设备校准数据。汽车电子系统也是其重要应用场景之一，如车载仪表盘、ECU（电子控制单元）辅助存储模块、车载导航系统等，利用其非易失性和抗干扰能力强的特点，保障车辆关键信息的安全存储。
　　此外，该芯片也常见于医疗仪器、测试测量设备和POS终端等对数据完整性要求较高的设备中，用于存储校准参数、设备序列号和操作日志。由于其支持在线编程，非常适合需要现场固件升级的场合，减少了返厂维修的成本。尽管当前主流设计已转向更小封装、更高密度和更低功耗的新型闪存，但在系统维护、备件替换和旧设备延寿项目中，AM28F010B依然发挥着重要作用。

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　　EON EN29F010A-12P-1.5