时间：2025/9/1 17:12:43
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HYMP112S64CP6-S6-C是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的高性能、低功耗的移动式DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于LPDDR2（Low Power Double Data Rate 2）系列。该型号主要用于移动设备，如智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品，以提供高速数据存储和访问能力。其封装形式为FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array），具备良好的散热性能和紧凑的尺寸，适合高密度电路设计。
容量：1Gb（128MB）
组织结构：128M x8
电压：1.2V - 1.8V（核心电压）
接口类型：LPDDR2 SDRAM
时钟频率：高达200MHz（等效于400Mbps）
封装类型：FBGA
引脚数：144-ball
工作温度范围：-40°C至+85°C
数据预取：2bit
突发长度：BL8（Burst Length 8）
自动刷新和自刷新功能：支持
封装尺寸：6.0mm x 8.0mm
HYMP112S64CP6-S6-C具备低功耗特性，适合电池供电设备使用。其工作电压范围为1.2V至1.8V，能够在不同的系统电压环境下稳定运行，具有良好的兼容性。该芯片支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，可以在不频繁访问内存的情况下保持数据完整性，进一步降低功耗。此外，该芯片采用了高密度DRAM技术，提供较大的存储容量，同时保持了较小的封装尺寸，适合空间受限的移动设备应用。数据预取技术提高了数据访问效率，而BL8的突发长度则增强了数据传输的连续性和吞吐量，提升了整体性能。
HYMP112S64CP6-S6-C主要应用于移动设备，包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式游戏机等需要高性能、低功耗内存的场合。此外，该芯片也可用于嵌入式系统、工业控制设备、消费类电子产品以及物联网（IoT）设备中，作为主存储器或缓存存储器使用。其优异的性能和紧凑的封装形式使其成为现代便携式电子设备的理想选择。
HYMP112S64CP6-S6B-C, HYMP112S64P6A-S6-C, HYMP112S64CP6-Y5-C
