HYG190P13NA1P是一款由Hyundai(现代)生产的功率半导体模块,主要用于高功率电子设备中,例如工业电机驱动、变频器和电源系统。该模块采用先进的封装技术,具备高可靠性和良好的热性能,能够在恶劣的工作环境中稳定运行。
类型:功率模块
晶体管类型:IGBT(绝缘栅双极晶体管)
最大集电极电流(Ic):190A
最大集射极电压(Vce):1300V
封装类型:双列直插式(Dual-in-line)
额定工作温度范围:-40°C至+150°C
短路耐受能力:6倍额定电流,持续10μs
热阻(Rth):根据散热条件变化
绝缘耐压:2500V AC(1分钟)
HYG190P13NA1P具备优异的电气和热性能,适用于高功率密度和高效率的应用场景。其内部集成了IGBT和反向并联二极管,简化了外部电路设计并提高了系统可靠性。
该模块采用了先进的芯片技术和封装设计,具备较低的导通压降和开关损耗,从而减少了整体功耗并提高了系统效率。
此外,HYG190P13NA1P具备良好的短路保护能力,能够在极端工况下保持稳定运行,避免因过流或短路故障导致的损坏。
模块的封装结构设计优化了散热性能,支持快速有效地将热量传导至外部散热器,从而延长了器件的使用寿命。
由于其高集成度和紧凑的封装形式,HYG190P13NA1P特别适用于空间受限但需要高性能的电力电子系统。
HYG190P13NA1P广泛应用于工业自动化、电机驱动、变频器、不间断电源(UPS)、电焊设备、感应加热设备以及新能源发电系统(如光伏逆变器)等高功率电子设备中。由于其具备高电流容量和优良的热管理性能,该模块非常适合用于需要高效能和高可靠性的工业控制和电力转换系统。
SKM190GB12T4、FGA25N120D、IXGH190N120B3、FF190R12KE3