类型：NAND Flash
　　容量：8GB
　　封装类型：TSSOP
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　电源电压：2.7V至3.6V
　　接口类型：并行NAND接口
　　数据传输速率：10ns访问时间
　　擦写周期：10万次
　　数据保持时间：10年

H27UBG8T2CTR-BC具备多种优良特性，使其在各种应用中表现出色。首先，该芯片拥有8GB的大容量，适用于需要大量数据存储的场合。其次，其TSSOP封装设计不仅体积小巧，还具有良好的散热性能，适合空间受限的设计。该芯片的工作温度范围广泛，从-40°C到+85°C，确保其在极端环境下的稳定性。
　　此外，H27UBG8T2CTR-BC支持2.7V至3.6V的宽电压范围，提高了其在不同电源条件下的适应能力。并行NAND接口提供了高速数据传输能力，使得读写操作更加高效。该芯片的访问时间为10ns，数据传输速率高，适合高性能系统应用。
　　其擦写周期高达10万次，数据保持时间长达10年，进一步增强了数据存储的可靠性和耐用性。这些特性使得H27UBG8T2CTR-BC成为嵌入式系统、便携式设备、工业控制和消费类电子产品中的理想选择。

H27UBG8T2CTR-BC广泛应用于多种需要大容量非易失性存储的场景。例如，它可以用于智能手机、平板电脑和便携式媒体播放器等消费类电子产品中，作为操作系统、应用程序和用户数据的存储介质。在工业领域，该芯片可用于嵌入式控制系统、数据采集设备和自动化设备，提供稳定可靠的数据存储方案。
　　此外，H27UBG8T2CTR-BC还可用于网络设备、安全监控系统以及车载信息娱乐系统中。其高可靠性和宽温工作范围使其在严苛环境下依然能够保持稳定运行，满足工业和汽车电子的严苛要求。

H27UBG8T2BTR-BC, H27UBG8T2DTR-BC