时间：2025/9/1 21:35:09
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HYG028N10NS1W是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各类高功率电子设备中。该器件采用了先进的沟槽式（Trench）技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，能够在高频率下工作，适合高效率电源系统设计。该MOSFET封装为TO-220，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）@25℃：28A
导通电阻（Rds(on)）：@4.5V=85mΩ（最大）
导通电阻（Rds(on)）：@10V=65mΩ（最大）
功率耗散（Pd）：150W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220
HYG028N10NS1W采用了东芝先进的Trench MOSFET结构，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了整体能效。该器件支持高栅极电压驱动（最高可达10V），在高电流负载下仍能保持较低的Rds(on)，非常适合用于高频开关应用。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，封装设计有助于有效散热，延长器件使用寿命。
其栅极驱动特性优化，具有较低的输入电容（Ciss）和门极电荷（Qg），从而减少了开关损耗，使该器件在高速开关应用中表现优异。此外，该MOSFET具备较强的雪崩能量承受能力，提高了在突变负载或短路情况下的可靠性。TO-220封装具备良好的机械稳定性和散热性能，适合多种PCB安装方式。
HYG028N10NS1W主要应用于各种高效率电源系统，如开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC转换器、电池管理系统、电动工具、电动车控制器、电机驱动器以及LED照明电源等。由于其低导通电阻和高电流承载能力，也常用于需要高功率密度设计的工业自动化设备、电源适配器及电源管理模块中。此外，该器件也适用于需要高可靠性和高稳定性的汽车电子系统，如车载充电器、启停系统等。
TKA10A60D5、TKA10A60K5、TKA10A60W5
