时间：2025/9/1 13:07:07
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HYG013N04NR1B6 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，适用于高效率电源管理系统。该器件采用先进的沟槽式结构，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适合用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统等应用。该MOSFET封装在小型SOP Advance（R1B6）封装中，具备良好的散热性能和空间利用率。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：13A
导通电阻（Rds(on)）：13mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOP Advance（R1B6）
HYG013N04NR1B6 采用东芝先进的沟槽式MOSFET技术，提供极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗并提高系统效率。其高电流能力使其适用于高功率密度设计，而±20V的栅极电压耐受能力增强了在高频开关应用中的稳定性。
该器件的SOP Advance（R1B6）封装具有出色的热性能，确保在高负载条件下仍能维持稳定工作。此外，其小型封装设计有助于节省PCB空间，适用于紧凑型电子产品设计。
该MOSFET具有良好的热稳定性和短路耐受能力，能够在严苛环境下保持稳定运行。此外，其快速开关特性降低了开关损耗，适合用于高频率开关电源设计。
该器件广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、服务器电源、工业电源、便携式电子设备以及汽车电子系统等场景。其高效率和紧凑封装使其特别适合高密度电源管理解决方案。
HYG013N04NS、HYG015N04NS、HYG016N04NR1B6
