HYESD1065P是一种高性能的静电放电(ESD)保护二极管,专为高速信号线和电源线提供瞬态电压抑制保护而设计。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低电容和低泄漏电流特性,确保在不影响系统性能的情况下提供可靠的保护功能。它广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域中的接口保护。
HYESD1065P支持多线路保护需求,并且能够承受反复的ESD冲击而不损坏,符合IEC 61000-4-2国际标准。此外,该元件具有紧凑的封装形式,适合高密度电路板布局。
工作电压:6V
击穿电压:7.5V
最大箝位电压:13.4V
峰值脉冲电流:38A
结电容:0.9pF
反向漏电流:1μA
响应时间:≤1ns
封装形式:SOD-323
HYESD1065P拥有非常低的动态电阻,能够有效降低瞬态电压对敏感电路的损害。其快速的响应时间确保了即使在极短时间内的浪涌也能被迅速抑制。
由于其超低结电容设计,该器件非常适合用于高速数据线,如USB、HDMI以及其他高频信号传输场景。同时,其稳定的性能和高可靠性使得它能够在恶劣的工作环境下长时间运行。
此外,HYESD1065P通过了严格的环境测试,包括高温、高湿及多次ESD冲击测试,从而保证产品的长期稳定性和一致性。
HYESD1065P适用于各种需要ESD保护的应用场合,例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑及其他便携式电子设备的数据端口保护。
它可以保护USB接口(如USB 2.0、USB 3.0)、HDMI接口、以太网端口、音频/视频输入输出端口等免受ESD威胁。
在工业自动化领域,该器件也可用于传感器信号链路、RS-232/RS-485通信总线以及电力供应线路的过压保护。
HYESD1065M
SM712
PESD5V0R1B