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ZXMN10A25KTC 发布时间 时间:2025/5/10 14:29:47 查看 阅读:5

ZXMN10A25KTC 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,由 ZETEX(现为 Diodes Incorporated 的一部分)生产。该器件采用 SO-8 封装形式,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合用于各种高效功率转换应用中。其高雪崩能力使得它在严苛的工作条件下也能保持稳定性能。
  该 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动器以及负载开关等场景。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻:9mΩ
  栅极电荷:13nC
  开关速度:典型值 13ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

ZXMN10A25KTC 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了更低的传导损耗,从而提高整体效率。
  2. 快速开关速度有助于减少开关损耗,尤其在高频操作下表现优异。
  3. 高温适应性使其适用于工业及汽车级应用环境。
  4. 内部集成的 ESD 保护提高了器件的可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代设计需求。
  此外,它的紧凑型 SO-8 封装也便于 PCB 布局设计。

应用

这款 MOSFET 主要应用于需要高性能功率管理的场合,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流功能。
  2. 电池管理系统中的负载切换控制。
  3. 电动工具和家用电器中的小型电机驱动。
  4. 各类 DC-DC 转换器模块以实现高效的电压调节。
  5. 可再生能源系统内的功率转换组件,如太阳能微逆变器。

替代型号

ZXMN11A25KTC, ZXMN12A25KTC, IRFZ44N

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ZXMN10A25KTC参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C125 毫欧 @ 2.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs17.16nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds859pF @ 50V
  • 功率 - 最大2.11W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXMN10A25KTCTR