时间：2025/9/2 0:11:22
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HYD0SQH0M是一款高压MOSFET功率晶体管，通常用于高功率开关应用，如电源转换、电机控制、照明系统及各种工业自动化设备。这款MOSFET具备高耐压、低导通电阻和高效率的特点，适合需要稳定性和高效能的电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1500V
最大漏极电流(Id)：1.5A
导通电阻(Rds(on))：2.5Ω
最大功耗(Pd)：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220AB
栅极电压(Vgs)：±30V
HYD0SQH0M具有出色的高电压阻断能力，最大漏源电压可达1500V，使其适用于高压电力电子设备。其低导通电阻(Rds(on))在1.5A电流下仅为2.5Ω，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。该器件能够在高温环境下稳定工作，最高工作温度可达到+150°C，保证了在严苛环境下的可靠性。
此外，HYD0SQH0M采用了TO-220AB封装，这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度，适用于高功率应用。该MOSFET还具备快速开关能力，适用于高频开关电路，提高了系统的响应速度和稳定性。
其栅极设计支持高达±30V的栅极电压，增加了控制的灵活性，并减少了驱动电路的复杂性。由于其高耐压能力和优异的热稳定性，HYD0SQH0M在高可靠性要求的应用中表现出色。
HYD0SQH0M广泛应用于各种高电压和高功率场合，如高压电源转换器、电机控制模块、工业自动化系统、LED大功率照明设备、不间断电源(UPS)以及电力调节系统。此外，它也可用于需要高电压隔离和高稳定性的测试设备和测量仪器。
IXYS IXFN150N150P3, Infineon IPP150N15A3
