时间：2025/4/29 18:03:47
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MGF4919G 是一款 N 沃特定型的射频功率晶体管，采用先进的硅双极技术制造。该器件专为高频和高功率应用而设计，能够提供卓越的增益和线性度表现，同时具备良好的稳定性和可靠性。MGF4919G 广泛应用于无线通信、广播系统以及测试测量设备中，支持高达 2.7 GHz 的工作频率范围。
型号：MGF4919G
类型：NPN 射频功率晶体管
集电极最大直流电流（Ic）：6 A
集电极-发射极击穿电压（Vceo）：50 V
最高工作频率（ft）：3.8 GHz
增益带宽积（fT）：3.8 GHz
封装形式：TO-277A
功耗：70 W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
MGF4919G 是一款高性能射频功率晶体管，具有以下显著特点：
1. 高输出功率能力，在高频条件下依然能保持优秀的效率。
2. 出色的增益性能和线性度，适用于需要高质量信号传输的应用场景。
3. 具备较高的击穿电压和电流处理能力，可确保在复杂电路中的稳定性。
4. 工作频率范围宽广，覆盖了从低频到 2.7 GHz 的高频段，非常适合无线通信等高频应用。
5. 封装设计紧凑且散热性能良好，有助于提升系统的整体可靠性。
6. 温度适应性强，能够在极端环境下正常运行，满足工业级应用需求。
MGF4919G 主要用于以下领域：
1. 无线通信基站的功率放大器模块。
2. 测试与测量仪器中的射频信号源。
3. 广播系统中的高功率射频放大器。
4. 航空航天和国防领域的雷达及通信设备。
5. 移动通信终端设备的功率控制单元。
6. 工业加热设备中的射频电源部分。
MGF4918G, MRF4919H, BLF4919G
