HYB25DC256160CE-5C 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的DDR SDRAM(双倍数据速率同步动态随机存取存储器)芯片,主要用于需要高性能存储解决方案的电子设备。该芯片的规格为256MB容量,16位数据宽度,属于DDR SDRAM系列,工作频率为400MHz,适用于计算机、服务器、嵌入式系统等对存储性能要求较高的场景。
容量:256MB
数据宽度:16位
内存类型:DDR SDRAM
工作频率:400MHz
电压:2.5V
封装类型:TSOP
引脚数:54
时钟速率:400MHz
访问时间:5.4ns
延迟:CL=3
工作温度范围:0°C 至 70°C
HYB25DC256160CE-5C DDR SDRAM芯片具备高性能和高可靠性的特点,其双倍数据速率技术允许在每个时钟周期内传输两次数据,从而显著提高数据传输速率。该芯片采用TSOP(薄型小外形封装)封装形式,体积小巧,适合高密度电路板设计。2.5V的工作电压在功耗和性能之间取得了良好的平衡,适用于便携式设备和高性能计算系统。此外,其CL=3的延迟特性确保了快速响应和高效的数据处理能力。该芯片的访问时间为5.4ns,支持高速数据存取,适用于对存储性能有严格要求的应用场景。HYB25DC256160CE-5C还具备良好的稳定性和兼容性,能够在广泛的温度范围内正常工作(0°C 至 70°C),适合各种工业环境。
为了确保数据完整性,该芯片采用了先进的错误检测和纠正技术,能够在数据传输过程中有效降低错误率。此外,其内部架构设计优化了信号完整性,减少了信号干扰,提高了整体系统的稳定性。由于其高性能和低功耗的特点,HYB25DC256160CE-5C广泛应用于个人电脑、服务器、网络设备、工业控制系统等需要高效存储解决方案的领域。
HYB25DC256160CE-5C DDR SDRAM芯片广泛应用于多种电子设备和系统中,包括个人计算机、服务器、嵌入式系统、工业控制设备、网络设备以及消费类电子产品。其高性能和高可靠性的特点使其成为需要快速数据处理和存储的场景的理想选择。例如,在服务器和高性能计算系统中,该芯片能够提供稳定的数据传输速率和较低的延迟,确保系统高效运行;在工业控制系统中,其宽工作温度范围和高稳定性能够适应恶劣的工作环境;在网络设备中,该芯片可以支持高速数据传输和处理,满足现代网络对存储性能的需求。
HYB25DC256160CE-5S, MT48LC16M16A2B4-4A, K4H56G164E-LCCC