时间：2025/9/14 9:43:29
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BUK9M9R5-40HX是一款由Nexperia（安世半导体）制造的高性能功率MOSFET，采用先进的Trench肖特基技术，具有低导通电阻和高能效的特点。该器件封装在小型化的LFPAK56（Power-SO8）封装中，适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：40V
最大漏极电流(Id)：9.5A（连续）
导通电阻(Rds(on))：9.5mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg)：16nC（典型值）
最大功耗(Pd)：35W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：LFPAK56（也称为Power-SO8）
BUK9M9R5-40HX采用Nexperia的高性能Trench肖特基工艺，确保了在低导通电阻的同时保持良好的开关性能。该器件的Rds(on)值仅为9.5mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其栅极电荷(Qg)仅为16nC，意味着在高频开关应用中能有效减少开关损耗。
此外，该MOSFET采用了LFPAK56封装技术，这是一种无引线框架的塑料封装，提供了优异的热性能和机械强度。LFPAK56封装还具有较低的热阻（Rth），确保了在高功率条件下仍能维持较低的结温，从而提高器件的可靠性。
该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到175°C，使其能够在极端环境下稳定工作。适用于高温、高湿和高振动环境下的工业和汽车应用。
由于其优异的电气和热性能，BUK9M9R5-40HX非常适合用于高密度功率设计，如DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统和负载开关等。
BUK9M9R5-40HX广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 工业电源和DC-DC转换器：用于提高转换效率并减少功率损耗。
2. 电池管理系统：适用于高能量密度电池组的充放电管理。
3. 电机驱动和控制电路：提供高效的功率开关，减少发热并提高系统稳定性。
4. 汽车电子：用于车载充电器、电动助力转向系统、车载娱乐系统等。
5. 负载开关和电源管理模块：用于高效控制负载的开启和关闭，减少待机功耗。
BUK9Y1R4-40H，BUK9J1R4-40H
