型号：LQSW6561MELC45
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20 V
　　最大连续漏极电流（ID）：4.5 A
　　最大脉冲漏极电流（ID_pulse）：18 A
　　最大栅源电压（VGS）：±12 V
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 4.5V：9.5 mΩ
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 2.5V：13 mΩ
　　阈值电压（Vth min）：0.4 V
　　阈值电压（Vth max）：1.0 V
　　输入电容（Ciss）：470 pF
　　输出电容（Coss）：290 pF
　　反向传输电容（Crss）：50 pF
　　栅极电荷（Qg typ）：5.5 nC
　　功率耗散（Pd）：1.5 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：DFN2020 (2x2)
　　安装类型：表面贴装（SMD）

LQSW6561MELC45 具备出色的低导通电阻特性，在 VGS = 4.5V 时 RDS(on) 最大仅为 9.5mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，这对于提高电池供电系统的能效至关重要。其低 RDS(on) 特性使得该器件在大电流负载条件下仍能保持较低的温升，有助于提升系统可靠性和延长使用寿命。此外，该 MOSFET 在低栅极驱动电压（如 2.5V）下仍具备良好的导通能力（RDS(on) ≤ 13mΩ），使其能够与现代低电压微控制器或电源管理 IC 直接接口，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了整体成本。
　　该器件采用 DFN2020 小尺寸封装，尺寸仅为 2.0mm x 2.0mm x 0.6mm，极大节省了 PCB 布局空间，特别适用于高度集成的便携式电子产品。DFN 封装还具有优良的散热性能，底部带有裸露焊盘，可通过 PCB 敷铜层有效导出热量，提升功率处理能力。器件的输入电容和反向传输电容较小，有助于减少开关过程中的驱动损耗和噪声干扰，实现更快的开关速度和更高的频率响应，适用于高频开关电源应用。
　　LQSW6561MELC45 具有良好的热稳定性，其最大工作结温可达 +150°C，并具备过温保护能力，在高温环境下仍能可靠运行。其栅氧层设计坚固，可承受 ±12V 的栅源电压，增强了抗静电和瞬态电压冲击的能力。此外，该器件的阈值电压范围适中（0.4V ~ 1.0V），确保了开启的一致性和可控性，避免误触发。整体而言，该 MOSFET 在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，是现代高效电源系统中的理想选择。

LQSW6561MELC45 广泛应用于需要高效率和小尺寸解决方案的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的负载开关和电源路径管理，例如智能手机和平板电脑中的电池供电切换、外设电源控制等。其低导通电阻和快速响应特性使其非常适合用于同步降压转换器（Buck Converter）中的下管开关，能够有效降低传导损耗，提升转换效率，尤其在轻载和中等负载条件下表现优异。
　　此外，该器件也适用于 DC-DC 模块、电压调节模块（VRM）以及各类 POL（Point-of-Load）电源设计，为 FPGA、ASIC、MCU 等数字芯片提供稳定的供电支持。在电机驱动电路中，可用于小型直流电机或步进电机的 H 桥驱动，实现精确的启停和方向控制。由于其良好的开关特性和低噪声表现，也可用于 LED 背光驱动或恒流源电路中的开关元件。
　　在工业和汽车电子领域，LQSW6561MELC45 可用于传感器模块、智能仪表、车载信息娱乐系统的电源管理单元。其表面贴装封装支持自动化生产，适用于大规模 SMT 工艺，提高了制造效率和产品一致性。同时，该器件的环保合规性使其符合现代电子产品对绿色制造的要求，广泛应用于各类需要节能、小型化和高可靠性的电源开关场景。

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　　 "DMG2305UX",
　　 "SI2305DDS",
　　 "AO2402",
　　 "FDMC86282"
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