容量：1Gb（128MB）
　　数据宽度：x8/x16
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　时钟频率：166MHz
　　存取时间：5.4ns
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数：54-pin
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C

HYB18TC1G800C2F-3S 是一款高性能的DRAM芯片，具备同步接口，能够与系统时钟同步工作，提高数据传输效率。该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗特性，适合需要长时间运行的系统。其166MHz的工作频率能够支持高速数据读写，满足复杂应用对内存带宽的需求。
　　此外，该芯片采用TSOP封装技术，具有良好的散热性能和较小的封装体积，适合在空间受限的设备中使用。其54-pin引脚设计提供了稳定的电气连接，确保数据传输的可靠性。
　　芯片内部集成了异步控制逻辑，支持快速页面模式和突发模式操作，进一步提升数据访问效率。其工作电压范围较宽（2.3V至3.6V），适应不同电源管理方案，增强了系统的兼容性和灵活性。
　　HYB18TC1G800C2F-3S 的工作温度范围为0°C至+70°C，适用于工业级环境，能够在较宽的温度范围内稳定运行。

该芯片广泛应用于高性能计算机、服务器、网络设备、通信设备以及工业控制系统等领域。其高容量和高速度特性使其成为需要大量内存缓冲和快速数据处理的理想选择。例如，在服务器内存模块中，HYB18TC1G800C2F-3S 可以作为主存储器，支持多任务并行处理；在网络设备中，它能够提供高速缓存支持，提升数据包转发效率；在工业控制系统中，该芯片可用于存储实时数据和程序代码，确保系统稳定运行。

HYB18TC1G800C2F-3S 可以被以下型号替代：HYB18TC1G800C2B4-6A、HYB18TC1G800C2B4-6A、MT48LC16M1A2B4-6A。