时间：2025/9/2 8:38:24
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HYB18TC1G160CF-2.5是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片属于168位的DRAM模块，具有1GB的存储容量，适用于需要高带宽和快速数据访问的应用场景。其工作电压为2.5V，这使其在功耗和性能之间取得良好的平衡，适用于桌面计算机、服务器以及需要高性能内存的嵌入式系统。HYB18TC1G160CF-2.5采用TSOP（薄型小外形封装）封装技术，具有良好的散热性能和可靠性。
容量：1GB
数据总线宽度：16位
电压：2.5V
封装类型：TSOP
引脚数量：54
工作温度范围：0°C至70°C
存储温度范围：-55°C至125°C
最大工作频率：166MHz
访问时间：5.4ns
刷新周期：64ms
封装尺寸：5.08mm x 20.42mm x 1.45mm
HYB18TC1G160CF-2.5的特性之一是其高性能的存储访问能力，支持166MHz的时钟频率，使其在数据传输速率方面表现出色。此外，该芯片采用了低功耗设计，在2.5V电压下运行，使其在保持高性能的同时降低了能耗，这对于需要长时间运行的系统（如服务器和嵌入式设备）尤为重要。其TSOP封装形式不仅节省空间，还提供了良好的热管理和机械稳定性，有助于提高整体系统的可靠性和耐用性。
该DRAM芯片支持自动刷新和自刷新模式，确保数据在断电或低功耗状态下也能保持一定时间。其54引脚的封装设计兼容标准的内存插槽，便于安装和更换。此外，该芯片的工作温度范围为0°C至70°C，适用于大多数工业和商业应用环境。其存储温度范围较广，从-55°C到125°C，使其在极端环境下的存储和运输过程中也能保持稳定性和完整性。
在电气特性方面，HYB18TC1G160CF-2.5的访问时间仅为5.4ns，能够满足高速数据存取的需求。同时，其最大工作频率为166MHz，支持突发模式操作，提高了数据传输效率。此外，该芯片还具备良好的抗干扰能力，确保在复杂电磁环境下仍能稳定运行。
HYB18TC1G160CF-2.5广泛应用于需要高性能内存的电子设备中，包括个人计算机、服务器、嵌入式系统、工业控制设备和网络设备等。在个人计算机和服务器领域，该芯片可用于构建高性能内存模块，提高系统的整体运行效率。在嵌入式系统中，HYB18TC1G160CF-2.5可用于需要快速数据处理和大容量存储的应用，如工业自动化控制、通信设备和医疗仪器等。此外，该芯片也可用于消费类电子产品，如高端游戏机、多媒体播放器和智能电视等，以提升设备的运行速度和用户体验。
HYB39S128800B4-BC、K4S641632C-UCB0、MT48LC16M1A2B4-6A
