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HYB18TC1G160C2F-75 发布时间 时间:2025/9/1 21:12:45 查看 阅读:9

HYB18TC1G160C2F-75 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的16MB(128Mbit)的CMOS动态随机存取存储器(DRAM)芯片,采用x16组织结构。该芯片属于SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)类型,工作电压为3.3V,适用于需要高速数据存取的电子设备,如通信设备、工业控制系统、网络设备和嵌入式系统等。该芯片采用TSOP(Thin Small Outline Package)封装形式,便于集成到各类电路板中。

参数

容量:128Mbit
  组织结构:x16
  工作电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  时钟频率:75MHz
  数据速率:75MHz
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  数据宽度:16位
  刷新周期:64ms
  访问时间:75ns
  

特性

HYB18TC1G160C2F-75 是一款高性能的同步动态随机存储器芯片,具有较高的数据存取速度和稳定性。该芯片的时钟频率为75MHz,支持突发模式访问,允许在单次访问后连续读取或写入多个数据单元,从而提高数据传输效率。其采用的CMOS工艺不仅降低了功耗,还提升了芯片的抗干扰能力。
  该芯片的工作电压为3.3V,符合当时主流的电源管理标准,适用于多种电子系统。其TSOP封装形式不仅体积小、重量轻,还具备良好的散热性能,适合在空间受限的环境中使用。此外,该芯片支持自动刷新和自刷新功能,能够在不依赖外部控制器的情况下维持数据完整性,降低系统功耗。
  在可靠性方面,HYB18TC1G160C2F-75 通过了严格的工业级温度测试,能够在-40°C至+85°C的温度范围内稳定工作,适用于工业控制、通信设备等对环境适应性要求较高的应用场景。其64ms的刷新周期确保了数据的长期存储稳定性,而75ns的访问时间则保证了快速的数据响应能力。

应用

HYB18TC1G160C2F-75 通常用于需要较大内存容量和高速数据处理能力的嵌入式系统和工业设备。例如,在通信设备中,该芯片可用于缓存数据包,提升网络传输效率;在工业控制设备中,可用于存储实时数据和程序代码,增强系统的响应速度和稳定性;在网络设备中,如路由器和交换机,该芯片可用于提升设备的数据转发能力,满足高吞吐量的需求。
  此外,该芯片也适用于一些消费类电子产品,如数字电视、机顶盒、游戏机等,用于存储图像、音频和视频数据,提供流畅的多媒体体验。由于其低功耗设计和高可靠性,HYB18TC1G160C2F-75 也常被用于便携式设备,如手持终端、工业平板电脑等,以延长电池续航时间并提升设备整体性能。
  在嵌入式系统开发中,该芯片常与各种处理器和FPGA配合使用,作为主存储器或高速缓存,提升系统的运行效率和数据处理能力。其广泛的应用范围和成熟的市场支持,使得该芯片成为许多电子设备设计中的优选存储解决方案。

替代型号

IS42S16100E-7T、MT48LC16M16A2B4-6A、CY7C1009DV33-10ZS、K4S641632E-TC75

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