HY860D 时间：2025/9/2 0:51:48 阅读：23

HY860D是一款由Hanyang Semiconductor（韩元半导体）推出的功率MOSFET器件，广泛应用于电源管理、开关电源（SMPS）、电机控制以及各种高效率功率转换系统中。该器件采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。HY860D通常采用TO-252或TO-263等封装形式，适用于多种工业级和消费类电子应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤28mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：约90nC
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）、TO-263（D2PAK）

特性

HY860D具有低导通电阻（RDS(on)），可显著降低导通损耗，提高系统效率。其高耐压特性使其适用于60V以下的各种功率开关应用，具备良好的过压和过流保护能力。
　　该MOSFET具有优异的开关性能，栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关频率，降低开关损耗，适用于高频开关电源设计。
　　HY860D采用高可靠性封装，具备良好的散热性能和热稳定性，确保在高温环境下仍能稳定工作。其宽工作温度范围也适用于恶劣环境下的工业控制和车载系统。
　　此外，该器件具有低输入电容和输出电容，有助于减少高频噪声和EMI干扰，提高系统的电磁兼容性。其栅极驱动电压范围较宽，兼容标准MOSFET驱动电路，简化设计复杂度。

应用

HY860D常用于开关电源（如DC-DC转换器、AC-DC适配器）、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、逆变器和UPS系统等高效率功率转换场合。
　　在工业自动化控制中，该MOSFET可作为高边或低边开关，用于控制电机、电磁阀、继电器等负载。
　　此外，HY860D也适用于电动车、储能系统、LED照明驱动电源等新兴应用领域，提供高效、稳定的功率控制解决方案。