HY860D是一款由Hanyang Semiconductor(韩元半导体)推出的功率MOSFET器件,广泛应用于电源管理、开关电源(SMPS)、电机控制以及各种高效率功率转换系统中。该器件采用先进的平面工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。HY860D通常采用TO-252或TO-263等封装形式,适用于多种工业级和消费类电子应用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):60A
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):≤28mΩ(典型值)
栅极电荷(Qg):约90nC
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:TO-252(DPAK)、TO-263(D2PAK)
HY860D具有低导通电阻(RDS(on)),可显著降低导通损耗,提高系统效率。其高耐压特性使其适用于60V以下的各种功率开关应用,具备良好的过压和过流保护能力。
该MOSFET具有优异的开关性能,栅极电荷(Qg)较低,有助于提高开关频率,降低开关损耗,适用于高频开关电源设计。
HY860D采用高可靠性封装,具备良好的散热性能和热稳定性,确保在高温环境下仍能稳定工作。其宽工作温度范围也适用于恶劣环境下的工业控制和车载系统。
此外,该器件具有低输入电容和输出电容,有助于减少高频噪声和EMI干扰,提高系统的电磁兼容性。其栅极驱动电压范围较宽,兼容标准MOSFET驱动电路,简化设计复杂度。
HY860D常用于开关电源(如DC-DC转换器、AC-DC适配器)、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)、逆变器和UPS系统等高效率功率转换场合。
在工业自动化控制中,该MOSFET可作为高边或低边开关,用于控制电机、电磁阀、继电器等负载。
此外,HY860D也适用于电动车、储能系统、LED照明驱动电源等新兴应用领域,提供高效、稳定的功率控制解决方案。
SiHF60N60E、FDP60N60E、STP60NF06、IRFZ44N