SWD30N06 时间：2025/12/25 6:28:38 阅读：23

SWD30N06是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Siward Semiconductor或其他类似制造商生产。该器件设计用于高电流、高效率的功率应用，如电源管理、电机驱动、电池充电器和DC-DC转换器等场合。SWD30N06具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，使其在高功率密度设计中具有良好的性能表现。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约7.5mΩ（典型值，@VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）或TO-220

特性

SWD30N06 MOSFET的主要特性之一是其低导通电阻，通常在7.5毫欧左右，这使得器件在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高了整体系统的效率。此外，该器件能够承受高达60V的漏-源电压，并支持高达30A的连续漏极电流，适合中高功率应用。SWD30N06采用先进的沟槽式MOSFET技术，优化了导通特性和开关性能，同时具备良好的热稳定性。
　　该MOSFET的封装形式通常为TO-263（D2PAK）或TO-220，便于散热和安装，适用于表面贴装或通孔焊接工艺。其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V驱动电路，兼容多种栅极驱动IC。此外，SWD30N06具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，提高了在严苛工况下的可靠性。

应用

SWD30N06广泛应用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车控制器、工业自动化设备以及高功率LED照明驱动电路。其低导通电阻和高电流能力使其成为需要高效能功率开关的理想选择。此外，该器件也适用于电机控制、逆变器和UPS（不间断电源）系统中的功率级设计。