HY638256J-20是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片属于高速SRAM产品系列,广泛用于需要高速数据访问和缓存的电子设备中。
容量:256Kbit
组织形式:32K x 8
电源电压:5V
访问时间:20ns
封装类型:TSOP
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
HY638256J-20 SRAM芯片具备高速访问时间,达到20ns,适用于需要快速数据读写的场合。该芯片采用CMOS技术,功耗相对较低,适合在各种嵌入式系统中使用。其TSOP封装形式有助于减小PCB布局空间,并提高抗干扰能力。
此外,该SRAM芯片具有良好的数据保持能力,在电源供电正常的情况下能够长期稳定地保存数据。其设计还支持异步操作,允许与多种控制器和处理器直接连接,提高了系统的兼容性和灵活性。
HY638256J-20的引脚布局优化,便于焊接和电路设计,同时具备较高的可靠性和耐用性,适用于工业控制、通信设备、汽车电子等多种应用场景。
该芯片常见于工业控制系统、数据采集设备、网络通信设备、测试仪器以及嵌入式系统中,用于高速缓存或临时数据存储。
CY62148EVLL-20ZE、IS61LV256AL-20BLL、AS6C256A-20SCN