HY638100J-20 时间：2025/9/2 5:20:59 阅读：10

HY638100J-20 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于早期的DRAM产品系列，常用于需要中等容量内存的嵌入式系统和工业设备中。该封装采用标准的DRAM架构，支持异步操作，适用于对内存性能要求不极端但需要稳定性和可靠性的应用场景。由于其较老的设计，现在可能已被更先进的DRAM型号所替代，但在某些维护或替换场景中仍有使用。

参数

容量：128K x 8位
　　电源电压：5V
　　访问时间：20ns
　　封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
　　引脚数：28引脚
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据宽度：8位
　　最大时钟频率：无（异步DRAM）
　　功耗：典型值约200mA

特性

HY638100J-20 是一款异步DRAM芯片，具有128KB的存储容量，适合用于早期的嵌入式系统和工业设备中。该芯片采用28引脚TSOP封装，具备较小的体积，适合在空间受限的应用中使用。电源电压为5V，符合当时的通用电源标准，便于集成到多种系统中。其访问时间为20ns，提供较快的数据读写能力，适用于对响应速度有一定要求的场合。该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，确保在恶劣环境条件下也能稳定运行，适用于工业级应用。
　　作为异步DRAM，HY638100J-20 没有同步时钟信号，数据的读写操作由控制信号直接触发，简化了系统设计，但可能在高频操作下存在一定的延迟。该芯片的8位数据宽度使其适合用于中小型数据缓冲、图形显示存储或其他需要中等容量RAM的应用场景。此外，该芯片的低功耗设计（典型电流为200mA）有助于降低系统整体功耗，延长设备的使用寿命。
　　尽管HY638100J-20 属于较早期的DRAM产品，但其稳定性和可靠性仍然受到部分工业用户的青睐，尤其是在需要长期维护和兼容性的项目中。对于某些特定的老化设备或控制系统，该芯片仍然具有一定的替代和维修价值。