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FL5252050R 发布时间 时间:2025/12/26 23:33:49 查看 阅读:12

FL5252050R是一款由Fitipower Integrated Technology(晶丰明源)推出的高性能、高集成度的LED照明驱动控制器芯片,广泛应用于离线式LED照明系统中,特别是适用于单级功率因数校正(PFC)反激式拓扑结构。该芯片专为满足国际能效标准而设计,支持宽输入电压范围,能够实现高功率因数(PF > 0.9)、低总谐波失真(THD < 15%)以及高效率的能量转换,适用于LED灯泡、LED日光灯管、筒灯等家用和商用照明产品。FL5252050R采用先进的控制算法,集成了多种保护机制,如过压保护(OVP)、过流保护(OCP)、过温保护(OTP)和开路/短路保护,确保系统在各种异常条件下仍能安全可靠运行。此外,该芯片还具备软启动功能,有效降低启动过程中的电流冲击,延长灯具寿命。其高度集成的设计减少了外围元件数量,降低了整体系统成本,并提升了系统的可靠性与稳定性。

参数

工作电压范围:8V ~ 25V
  启动电流:<10μA
  工作频率:65kHz(典型值)
  最大占空比:约90%
  反馈参考电压:2.5V(典型值)
  封装形式:SOP-8
  PFC控制模式:临界导通模式(CRM)
  集成高压启动电路:支持
  集成MOSFET:不集成(外驱MOS)
  功率因数(PF):>0.9(满载条件下)
  总谐波失真(THD):<15%(输入110V/220V)
  工作效率:>88%(典型应用)

特性

FL5252050R采用临界导通模式(Critical Conduction Mode, CRM)控制策略,特别适用于中低功率范围内的单级PFC反激变换器。这种控制方式能够在保证高功率因数的同时,显著降低开关损耗,提高整体能效。芯片内部集成了精确的乘法器和除法器电路,用于实时调节输入电流波形,使其与输入电压保持同相位,从而实现接近正弦波的输入电流,大幅降低THD值,满足IEC61000-3-2等谐波标准要求。
  该芯片内置高压启动模块,可在上电后通过内部高压电流源对VDD电容进行充电,实现快速且稳定的启动,无需外部启动电阻网络,不仅简化了电路设计,还降低了待机功耗。同时,芯片具备完善的多重保护机制:当检测到输出过压时,自动进入打嗝模式以防止损坏;逐周期电流限制功能可有效抑制瞬态过流;温度折返功能可在高温环境下自动降低输出功率以维持热平衡,提升系统可靠性。
  为了适应不同负载条件下的性能优化,FL5252050R引入了多模式调光技术,支持模拟调光和PWM调光,兼容主流的调光控制系统。其反馈环路具有良好的动态响应能力,在负载突变或输入波动时仍能保持输出稳定。此外,芯片采用轻载跳频模式,在轻载或空载状态下自动降低开关频率,有效减少开关损耗,提高轻载效率并降低音频噪声,避免变压器发出可闻噪音。
  在EMI(电磁干扰)方面,FL5252050R通过优化驱动信号的上升/下降时间,并结合频率抖动技术,有效分散能量频谱,降低传导和辐射干扰,帮助系统更容易通过EMI认证。整个芯片基于BCD工艺制造,具备优良的抗干扰能力和长期工作稳定性,适合在高温、高湿等恶劣环境中长期运行。

应用

FL5252050R主要用于需要高功率因数、低谐波畸变和高效能转换的LED照明驱动电源设计。典型应用场景包括替代传统白炽灯和节能灯的智能LED灯泡(如E27、B22接口),集成式LED灯具(如吸顶灯、面板灯、筒灯),以及T8/T5 LED日光灯管等商业和家庭照明设备。由于其单级PFC架构无需额外的升压PFC级,因此特别适用于成本敏感且空间受限的应用场合。此外,该芯片也适用于需要符合能源之星(Energy Star)、欧盟ERP指令、CE认证等国际能效标准的产品开发。在户外照明领域,如庭院灯、路灯电源模块中也有一定应用潜力,尤其是在强调高可靠性与长寿命的项目中。配合合适的变压器和外围电路,FL5252050R可支持5W至40W范围内的LED负载驱动,覆盖大多数中小功率LED照明需求。其优异的调光兼容性使其适用于与前沿切相(TRIAC)、后沿切相(ELV)调光器联动工作的调光灯具系统,提供平滑无闪烁的调光体验。

替代型号

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FL5252050R参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.1A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)130 毫欧 @ 1A,4V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.3V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)400 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)600mW(Ta)
  • 工作温度125°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装迷你型5-G3-B
  • 封装/外壳SC-74A,SOT-753