容量：8Mbit（512K x 16）
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　最大访问时间：55ns
　　封装类型：TSOP
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装引脚数：54
　　工作模式：异步
　　读电流：最大200mA
　　待机电流：最大10mA

HY62WT08081E-DT55I 是一款低功耗、高速SRAM，专为工业和高性能系统设计。其异步操作模式允许与各种微处理器和控制器无缝连接。该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围，确保了其在不同供电条件下的稳定运行。此外，该器件的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于严苛环境下的应用。
　　该SRAM的高速访问时间为55ns，使得其适用于需要快速数据读取和写入的场合，如网络设备、通信系统、图像处理设备和工业控制系统。其TSOP封装形式不仅减小了PCB布局空间，而且有助于提高高频应用中的电气性能。
　　在功耗管理方面，HY62WT08081E-DT55I 提供了低待机电流（最大10mA），可在不使用时显著降低功耗，提高系统能效。同时，其读取电流最大为200mA，确保了在高速运行时的稳定性。

HY62WT08081E-DT55I 广泛应用于需要高速、低功耗SRAM存储器的嵌入式系统和工业设备。典型应用包括路由器和交换机的数据缓冲、通信设备中的临时存储、工业控制系统的高速缓存、图像处理设备的帧缓存、测试仪器的临时数据存储等。由于其工业级温度范围和高可靠性，也适用于汽车电子、安防监控系统和便携式医疗设备等对稳定性要求较高的场合。

CY7C1041CV33-55BZC、IS61LV25616-55BLL、A62081E-55DI、AS7C34098A-55BINT