时间：2025/7/1 17:57:57
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TESB1R5V18B1X 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关器件，专为高频、高效率应用场景设计。该芯片采用先进的制程工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器以及高频逆变器等应用领域。
该型号属于 Enhancement Mode GaN FET 系列，能够显著提升电力电子系统的整体效率和功率密度，同时减小系统体积和重量。
最大漏源电压：180V
连续漏极电流：1.5A
导通电阻：12mΩ
栅极电荷：3nC
反向恢复时间：10ns
工作温度范围：-40℃ 至 +150℃
TESB1R5V18B1X 具备以下主要特性：
1. 超低导通电阻，可降低传导损耗，提升效率。
2. 高速开关性能，支持高达几兆赫兹的工作频率。
3. 内置保护功能，如过温保护和过流限制，确保可靠运行。
4. 小型封装设计，适合紧凑型电路布局。
5. 栅极驱动兼容性良好，易于与现有驱动方案集成。
6. 高可靠性，在极端环境下也能稳定工作。
TESB1R5V18B1X 主要应用于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的高频整流和开关功能。
2. DC-DC 转换器，用于电动汽车充电设备或工业电源。
3. LED 驱动器，提供高效稳定的电流输出。
4. 太阳能微型逆变器，优化能量转换效率。
5. 消费类电子产品中的快充适配器，实现更高功率密度。
TEGB1R5V18B1X
