TESB1R5V18B1X 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,专为高频、高效率应用场景设计。该芯片采用先进的制程工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,适用于电源管理、DC-DC转换器以及高频逆变器等应用领域。
该型号属于 Enhancement Mode GaN FET 系列,能够显著提升电力电子系统的整体效率和功率密度,同时减小系统体积和重量。
最大漏源电压:180V
连续漏极电流:1.5A
导通电阻:12mΩ
栅极电荷:3nC
反向恢复时间:10ns
工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
TESB1R5V18B1X 具备以下主要特性:
1. 超低导通电阻,可降低传导损耗,提升效率。
2. 高速开关性能,支持高达几兆赫兹的工作频率。
3. 内置保护功能,如过温保护和过流限制,确保可靠运行。
4. 小型封装设计,适合紧凑型电路布局。
5. 栅极驱动兼容性良好,易于与现有驱动方案集成。
6. 高可靠性,在极端环境下也能稳定工作。
TESB1R5V18B1X 主要应用于以下场景:
1. 开关电源(SMPS)中的高频整流和开关功能。
2. DC-DC 转换器,用于电动汽车充电设备或工业电源。
3. LED 驱动器,提供高效稳定的电流输出。
4. 太阳能微型逆变器,优化能量转换效率。
5. 消费类电子产品中的快充适配器,实现更高功率密度。
TEGB1R5V18B1X