HY62WT08081E-DG55C 是一款由华邦(Winbond)生产的静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片具有高速、低功耗的特点,广泛应用于工业控制、通信设备和消费类电子产品中。其高可靠性和稳定性使其成为许多嵌入式系统中的理想选择。
容量:8Mbit
组织结构:512K x 16
供电电压:2.5V ~ 3.6V
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
封装形式:TQFP44
数据保留时间:无限
访问时间:10ns / 15ns
HY62WT08081E-DG55C 提供了快速的读写速度,确保了数据传输的高效性。其宽泛的工作电压范围和工业级温度支持,使得该芯片能够在多种环境下稳定运行。
此外,它采用CMOS工艺制造,具备较低的功耗特性,非常适合对能耗敏感的应用场景。该器件还支持同步和异步操作模式,增强了其灵活性和适用性。
由于其非易失性的特点,即使在断电情况下,数据也不会丢失,从而提高了系统的可靠性。
HY62WT08081E-DG55C 广泛应用于需要高性能内存的场合,例如网络路由器、交换机、打印机缓冲区、图形控制器以及其他需要快速数据处理的工业和消费类设备。
此外,它也适用于需要长时间数据保存的嵌入式系统,如医疗设备、安防监控系统等。由于其低功耗和高可靠性,该芯片特别适合便携式和电池供电设备。
HY62WT08081A-DG55C
IS61LV25616
CY7C1041V33