容量：256K x16
　　组织结构：256K地址，每个地址存储16位数据
　　电压供应：3.3V（典型值）
　　访问时间：55ns
　　封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
　　封装引脚数：54引脚
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　数据保持电压：最小2V
　　最大工作电流：根据读写操作频率变化，典型值约200mA
　　封装尺寸：约8mm x 20mm（根据具体封装形式可能略有不同）
　　输入/输出电平：兼容TTL和CMOS

HY62V8400ALTT2-55具有多个关键特性，使其适用于广泛的高性能存储应用。首先，其高速访问时间为55ns，这意味着该芯片可以在非常短的时间内完成读取或写入操作，从而提高系统的整体响应速度。该芯片采用异步设计，无需外部时钟信号即可操作，简化了系统时序控制。
　　此外，HY62V8400ALTT2-55支持低待机电流模式，在不进行读写操作时可显著降低功耗，适用于对功耗敏感的系统设计。其宽电压范围（通常为2.3V至3.6V）提供了良好的电源适应性，使其能够在不同电源条件下稳定运行。
　　该SRAM芯片具备高可靠性设计，支持超过10万次的写入周期，并具有良好的抗干扰能力和数据保持能力。在断电情况下，数据可在保持电压（通常为2V以上）下保留一段时间，适合需要临时数据存储的应用场景。
　　封装方面，HY62V8400ALTT2-55采用TSOP封装形式，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适合高密度PCB布局。此外，该芯片引脚与许多标准SRAM器件兼容，便于设计替换和升级。

HY62V8400ALTT2-55广泛应用于需要高速存储和数据缓冲的嵌入式系统和工业控制设备中。例如，它常用于网络设备中的数据包缓存、图像处理系统中的帧缓冲存储器、工业自动化控制设备中的高速数据采集与处理模块，以及测试测量仪器中的临时数据存储单元。
　　此外，该SRAM芯片也适用于通信设备，如路由器、交换机和无线基站，用于缓存关键数据或临时存储运行时的程序代码。在汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS），该芯片可用于高速数据存储和实时处理。
　　由于其低功耗模式和宽工作温度范围，HY62V8400ALTT2-55也非常适合工业级和车载级应用，能够在恶劣的环境条件下稳定运行。在嵌入式系统中，该芯片可用作主存储器或高速缓存，为微控制器或数字信号处理器（DSP）提供快速数据访问能力。

IS61LV25616-55B4I、CY7C1041CV33-55B4I、IDT71V416S48B4GI、AS7C325616C-55BCTR、ISSI IS64LV12816A-55BLLI