时间：2025/9/1 15:17:10
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HY62V8100BLLTI-85是一款由Hynix Semiconductor（现为SK hynix）制造的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于高性能SRAM存储器系列，适用于需要快速存取和高可靠性的系统。这款芯片的容量为1024K位（128K x 8），采用异步SRAM架构，适用于嵌入式系统、工业控制设备和网络设备等应用。
类型：异步SRAM
容量：1 Mbit（128K x 8）
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：85ns
封装：TSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
I/O接口：并行接口
数据宽度：8位
封装引脚数：54
封装类型：TSOP-II
封装尺寸：54-TSOP
最大频率：约117MHz（基于访问时间）
HY62V8100BLLTI-85是一款高性能异步SRAM芯片，具备高速访问时间和宽电压工作范围，适合于多种工业和通信应用。其85ns的访问时间使得该芯片在高速数据处理中表现优异，能够满足实时系统对存储器响应速度的要求。该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，使其在不同电源环境下都能保持稳定运行，适应性强。此外，该芯片采用TSOP封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于紧凑型电路设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C，确保在恶劣工业环境下也能稳定运行。HY62V8100BLLTI-85支持低功耗模式，在不需要高速操作时可有效降低功耗，适用于对功耗敏感的应用场景。
HY62V8100BLLTI-85常用于需要高速数据缓存和临时存储的场合，如微控制器系统、嵌入式处理器、网络交换设备、工业自动化控制系统、通信模块、数据采集设备以及消费类电子产品中的临时数据存储部分。
CY62148EVLL-85ZSXI, IS61LV10248ALLB85B
