型号K100PBG
　　类型：N 沟道 MOSFET
　　封装形式：PBG (Power Block G)
　　Vds（漏源极电压）：100V
　　Rds(on)（导通电阻，典型值）：3.34mΩ
　　Id（连续漏极电流）：180A
　　Vgs（栅源极电压）：±20V
　　f（工作频率范围）：高达 1MHz
　　功耗：约 5W（具体取决于散热条件）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

FN18X334K100PBG 的主要特性包括以下几点：
　　1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可显著降低传导损耗， 高电流承载能力，支持高达 180A 的连续漏极电流，适用于大功率应用场景。
　　3. 快速开关速度，能够适应高达 1MHz 的工作频率，满足高频开关需求。
　　4. 强大的热性能设计，确保在高温环境下的稳定运行。
　　5. 具备较高的雪崩击穿能力和 ESD 保护，增强了器件的可靠性。
　　6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
　　这些特性使得 FN18X334K100PBG 成为许多高性能功率电子系统的理想选择。

FN18X334K100PBG 广泛用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS），如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
　　2. 电机驱动控制，尤其是工业自动化设备中的高性能电机。
　　3. 太阳能逆变器和储能系统中的功率管理。
　　4. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的电池管理系统及电机控制器。
　　5. LED 照明驱动电路，提供高效的功率转换。
　　6. 各类高频开关应用，例如通信设备中的功率放大器。
　　其卓越的性能和可靠性使其成为现代功率电子领域的核心元件之一。

IRFP2907ZPBF, FDP18N10E, IXYS_GSi18N100KD