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HY62V256BLLT1-85I 发布时间 时间:2025/9/2 7:35:34 查看 阅读:5

HY62V256BLLT1-85I 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片属于异步SRAM类别,具有256K位的存储容量,采用16位宽的数据总线,适用于需要高速数据访问的应用场景。这款芯片封装为TSOP(薄型小外形封装),工作温度范围为工业级(-40°C至+85°C),适用于各种工业设备和通信系统。

参数

容量:256K位
  组织方式:32K x 8
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  最大访问时间:85ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口类型:并行异步
  数据总线宽度:8位
  封装引脚数:52
  功耗:典型工作电流约100mA
  读写操作:支持异步读写操作

特性

HY62V256BLLT1-85I 是一款高性能的异步SRAM芯片,其主要特性包括宽电压工作范围(2.3V至3.6V),使其能够在不同电压系统的设备中使用,提高了兼容性和适用性。该芯片的存取时间仅为85ns,支持高速数据读取和写入,适用于对响应速度要求较高的应用场景。此外,其采用的TSOP封装形式有助于降低封装高度,适用于空间受限的便携式电子设备和嵌入式系统。
  该芯片支持异步操作,无需时钟信号控制,简化了接口设计和时序控制,适用于传统微处理器、控制器和外围设备接口等应用。其工作温度范围覆盖工业级标准(-40°C至+85°C),确保在恶劣环境下也能稳定运行。HY62V256BLLT1-85I 的低功耗设计在待机模式下可显著降低功耗,适合电池供电设备和对能耗敏感的应用场合。
  在功能方面,该芯片提供32K x 8的存储结构,能够满足中等容量的数据缓存或程序存储需求。其并行接口结构支持直接连接微控制器或FPGA等主控设备,减少外部逻辑控制器件的使用,提高系统集成度。该芯片在设计上具有较高的可靠性和稳定性,广泛应用于工业控制、通信模块、测试设备和智能仪表等领域。

应用

HY62V256BLLT1-85I SRAM芯片广泛应用于多种嵌入式系统和工业设备中,作为高速缓存或临时数据存储器使用。常见的应用包括工业自动化控制系统、智能电表、网络通信设备、无线基站模块、图像采集与处理设备、手持式测试仪器等。由于其支持宽电压和工业级温度范围,特别适合于需要在恶劣环境中长期运行的设备。此外,该芯片也常用于FPGA或微控制器系统的外部存储扩展,提升系统的数据处理能力和响应速度。

替代型号

IS62LV256ALBLT-85I、CY62157EV30LL-85B、IDT71V433SA85B、AS6C256A-85BCN2B、M5M54610BP-85

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