时间：2025/8/2 7:48:06
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FDMA86251 是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的功率MOSFET器件，采用先进的硅技术制造，具有高效率和低导通电阻的特性。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：80A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大10.5mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
FDMA86251 是一款高性能的N沟道MOSFET，具有优异的电气特性和可靠性。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，能够提供极低的导通电阻，从而显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，FDMA86251 具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，适用于高功率密度和高温工作环境。其封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。该器件还具有良好的开关特性，能够实现快速的开关转换，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流电路。
FDMA86251 的另一个显著特点是其高耐压能力，漏源电压最大可达100V，使其适用于中高功率的电源系统。其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V或12V驱动电压，方便与各种控制电路配合使用。此外，该器件具有较高的短路耐受能力，能够在瞬态过载条件下保持稳定，提高系统的可靠性。由于其低导通电阻和高效率的特性，FDMA86251 能够有效减少功率损耗，提升整体系统性能，同时降低对散热系统的要求，有助于设计更紧凑的电源模块。
FDMA86251 适用于多种功率电子系统，如DC-DC转换器、电源管理系统、电机驱动器、负载开关和电池管理系统等。其高效率和低导通电阻特性使其在高功率密度电源设计中具有明显优势。
FDMA86253、FDMS86181、SiR178DP、IPB04N04LA06
