容量：16Mbit (2MB)
　　组织结构：1M x 16位
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：8.5ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装尺寸：54-pin TSOP
　　接口类型：并行接口
　　读写操作：异步SRAM
　　功耗：典型值为100mA（待机模式下小于10mA）

HY62UF16201ALLF-851的最大访问时间为8.5ns，能够在高频应用中提供稳定的数据传输性能。该芯片采用CMOS技术，具有较低的静态电流和动态功耗，在待机模式下功耗极低，非常适合需要节能设计的应用场景。此外，其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级应用环境，具备良好的稳定性和抗干扰能力。
　　该芯片的封装形式为54引脚TSOP，尺寸小巧，便于PCB布局和焊接，适合高密度设计。其并行接口支持高速数据总线操作，适用于需要大量数据吞吐的嵌入式系统、通信设备、网络路由器、工业控制器等应用场景。
　　HY62UF16201ALLF-851还具备自动低功耗模式，在无操作时可自动进入待机状态，从而进一步降低功耗。此外，该芯片具备数据保持功能，在低电压状态下仍能保持数据完整性，确保系统稳定性。

HY62UF16201ALLF-851广泛应用于需要高速存储的嵌入式系统和工业控制设备，例如路由器、交换机、打印机、医疗设备、测试仪器和通信模块。其高速访问时间和低功耗特性使其成为替代传统异步SRAM的理想选择，适用于需要频繁读写操作的系统。此外，该芯片也可用于图形处理、图像缓存、实时控制系统等对存储速度要求较高的应用场景。在工业自动化、智能电表、安防监控系统等领域也有广泛应用。由于其宽温工作范围和良好的稳定性，HY62UF16201ALLF-851在恶劣环境下依然能保持稳定运行。

ISSI IS62WV16201ALLB-851, Cypress CY62167E, Microchip SST39VF1601C