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HY62U16100LLT2-101 发布时间 时间:2025/9/1 13:36:04 查看 阅读:5

HY62U16100LLT2-101 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用CMOS技术制造,具备高速读写能力和低功耗特性,适用于需要快速数据访问和较高可靠性的应用场景。其存储容量为1Mbit(128K x 8),采用LLP(Low Power Plastic)封装技术,适合嵌入式系统和便携式设备中的使用。

参数

存储容量:1Mbit (128K x 8)
  电源电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:10ns
  封装类型:54-TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  输入/输出接口:并行
  数据保持电压:1.5V
  最大工作电流:180mA(典型值)

特性

HY62U16100LLT2-101 是一款高性能的低功耗SRAM芯片,适用于各种需要高速存储的应用。其主要特性包括:高速访问时间(10ns),确保快速的数据读写操作;宽电压范围(2.3V至3.6V)使其适用于多种电源环境;低功耗设计,在待机模式下电流极低,适合电池供电设备使用;数据保持电压低至1.5V,确保在低电压状态下数据仍可保持;封装采用TSOP,体积小,便于集成到高密度电路板设计中;工作温度范围宽(-40°C至+85°C),可在工业级环境中稳定运行。

应用

该芯片广泛应用于需要高速存储器的工业控制系统、通信设备、网络设备、嵌入式系统以及便携式电子产品。例如,它可以用于缓存数据、临时存储程序代码、高速缓冲存储器等场景。由于其低功耗和宽电压范围,HY62U16100LLT2-101 也常用于手持设备和远程传感器等对功耗敏感的应用。

替代型号

CY62167EVAL435AXI, IS61WV10248BLL10B4I, IDT71V416S10PFGI, ISSI IS62WV10248BLL-10B4I

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