时间：2025/9/1 13:36:04
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HY62U16100LLT2-101 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用CMOS技术制造，具备高速读写能力和低功耗特性，适用于需要快速数据访问和较高可靠性的应用场景。其存储容量为1Mbit（128K x 8），采用LLP（Low Power Plastic）封装技术，适合嵌入式系统和便携式设备中的使用。
存储容量：1Mbit (128K x 8)
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：10ns
封装类型：54-TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
输入/输出接口：并行
数据保持电压：1.5V
最大工作电流：180mA（典型值）
HY62U16100LLT2-101 是一款高性能的低功耗SRAM芯片，适用于各种需要高速存储的应用。其主要特性包括：高速访问时间（10ns），确保快速的数据读写操作；宽电压范围（2.3V至3.6V）使其适用于多种电源环境；低功耗设计，在待机模式下电流极低，适合电池供电设备使用；数据保持电压低至1.5V，确保在低电压状态下数据仍可保持；封装采用TSOP，体积小，便于集成到高密度电路板设计中；工作温度范围宽（-40°C至+85°C），可在工业级环境中稳定运行。
该芯片广泛应用于需要高速存储器的工业控制系统、通信设备、网络设备、嵌入式系统以及便携式电子产品。例如，它可以用于缓存数据、临时存储程序代码、高速缓冲存储器等场景。由于其低功耗和宽电压范围，HY62U16100LLT2-101 也常用于手持设备和远程传感器等对功耗敏感的应用。
CY62167EVAL435AXI, IS61WV10248BLL10B4I, IDT71V416S10PFGI, ISSI IS62WV10248BLL-10B4I
