DTA114ESA-TA是一款由东芝(Toshiba)制造的双极性晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件广泛用于各种电子电路中,尤其适用于需要高频操作和高增益性能的应用场合。DTA114ESA-TA采用SOT-323封装形式,具有紧凑的尺寸,适用于空间受限的电路设计。
晶体管类型:NPN
集电极-发射极电压(VCEO):50V
集电极电流(IC):100mA
功耗(PD):200mW
过渡频率(fT):100MHz
电流增益(hFE):110-800(取决于测试条件)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:SOT-323
DTA114ESA-TA具有优异的高频性能,适合用于射频(RF)和高频放大电路。
该晶体管提供高电流增益,确保信号的高效放大。
其低功耗设计有助于减少电路的发热问题,提高整体系统的稳定性。
SOT-323封装使其适合表面贴装工艺,便于自动化生产和节省电路板空间。
工作温度范围广泛,适用于各种严苛的环境条件。
DTA114ESA-TA广泛应用于无线通信设备、射频放大器、音频放大电路、开关电路、传感器接口电路等电子系统中。
此外,它也常用于便携式电子设备、消费类电子产品和工业控制设备中,以提供信号放大和开关功能。
由于其高频特性,该晶体管在无线发射和接收模块中也得到了广泛应用。
2N3904, BC847, 2SC3355