时间：2025/9/2 6:08:21
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HY62KT08081E-DT70CDR 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用高性能CMOS技术制造，具有高速访问时间、低功耗和高可靠性等特点，广泛应用于需要快速数据存取的工业和通信设备中。该器件为8Mbit（1M x 8）容量，采用52引脚TSOP封装，适用于商业级和工业级工作温度范围。
容量：8Mbit (1M x 8)
组织方式：x8
访问时间：最大70ns
工作电压：2.3V至3.6V
工作温度范围：-40°C至+85°C（工业级）
封装形式：52-TSOP（薄型小外形封装）
封装尺寸：52引脚
封装材料：塑料
引脚数量：52
引脚排列：TSOP-II
最大工作频率：约143MHz（基于访问时间）
典型电流消耗：在待机模式下低于10mA
数据保持电压：1.5V以上可保持数据
HY62KT08081E-DT70CDR 是一款高性能SRAM芯片，采用了先进的CMOS工艺，具有低功耗和高速访问的特点。其最大访问时间为70ns，适用于需要快速数据存取的应用场景。该芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），适用于多种电源设计环境。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在较为严苛的环境中稳定运行。
该器件具有自动数据保持功能，在低功耗模式下可显著降低功耗，适用于对功耗敏感的嵌入式系统和便携式设备。此外，该芯片具备高抗噪能力，能够确保在复杂电磁环境中数据读写的稳定性。其TSOP封装形式不仅节省空间，还提高了焊接可靠性和散热性能，适合高密度PCB布局。
HY62KT08081E-DT70CDR 还具备高可靠性设计，可承受多次上电/断电循环，并具有较长的数据保持寿命。其引脚排列符合JEDEC标准，便于与其他系统模块兼容。该芯片还支持异步操作，可与多种控制器和处理器无缝对接，适用于通信设备、工业控制、网络设备和嵌入式系统等应用领域。
HY62KT08081E-DT70CDR 广泛应用于需要高速、低功耗、高可靠性的电子系统中。常见的应用包括网络路由器、交换机、工业控制器、通信基站、测试设备、医疗设备、嵌入式系统以及数据采集装置等。由于其宽电压和宽温度范围特性，该芯片也适用于户外设备和车载电子系统。
CY62168EVAL435ZSXI, IS62WV5128FBLL-55B, IDT71V016SA70B, ISSI IS64WV5128ALLBLL-70BLY5I
