时间：2025/9/1 11:40:42
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HY62CT08081E-DG55C 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用高性能CMOS技术制造，具备低功耗和高速访问的特点，适用于需要快速数据存取的应用场景，例如嵌入式系统、网络设备、工业控制设备等。该型号的封装形式为TSOP（薄型小外形封装），工作温度范围为工业级标准（-40°C至+85°C），适合在恶劣环境中使用。
类型：SRAM
容量：8 Mbit（512K x 16）
电源电压：2.3V 至 3.6V
访问时间：5.4ns（最大）
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP-II
引脚数：54
数据总线宽度：16位
封装尺寸：54-TSOP
最大时钟频率：166MHz
功耗（典型值）：100mA（待机模式下为10mA）
接口标准：异步SRAM接口
封装材料：塑料
HY62CT08081E-DG55C SRAM芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有优异的性能和可靠性。其高速访问时间（5.4ns）确保了数据能够被快速读写，满足高速缓存和实时处理应用的需求。该芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），增强了其在不同供电环境下的适应能力。此外，该器件的待机模式电流仅为10mA，显著降低了系统功耗，适用于对功耗敏感的设计。TSOP封装不仅节省空间，还提高了封装密度，适合高密度电路板布局。工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）确保其在各种恶劣环境条件下仍能稳定运行。该芯片还具备高抗干扰能力、低输出驱动电流和自动低功耗模式等功能，进一步提升了其稳定性和能效表现。
HY62CT08081E-DG55C SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的嵌入式系统和工业控制设备中。其典型应用包括网络设备（如路由器和交换机）、通信模块、工业自动化控制器、测试测量仪器、消费类电子产品中的缓存存储器以及各种需要高速存储器的嵌入式系统设计。由于其具备宽温工作能力和低功耗特性，该芯片也适用于户外设备和车载电子系统。
CY62167VLL-55BZSXC、IDT71V416S10Y.55BCEGI、IS61LV25616AL-6T、AS7C34098A-55BCTR、ISSI IS64LV1016A-6T
