HY628400R2-70 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款静态随机存取存储器(SRAM)芯片。这款芯片属于高速存储器类别,常用于需要快速数据存取的电子设备中。SRAM因其无需刷新电路即可保持数据而被广泛使用,适用于缓存、嵌入式系统和高性能计算设备。
类型: SRAM
容量: 256K x 16
电压: 3.3V
封装类型: TSOP
访问时间: 70ns
工作温度范围: 工业级 (-40°C ~ +85°C)
引脚数: 54
数据总线宽度: 16位
HY628400R2-70是一款高性能SRAM芯片,具有低功耗设计和高速数据访问能力。其访问时间为70ns,使其适用于对响应时间要求较高的系统。该芯片采用CMOS技术制造,确保了数据的稳定性和可靠性。此外,其TSOP封装形式具有较小的物理尺寸和较高的引脚密度,非常适合空间受限的应用场合。工业级温度范围设计使该芯片能够在恶劣环境中正常工作,广泛适用于工业控制、网络设备和通信系统。
该芯片还具备自动低功耗模式,可以在不使用时有效降低功耗,延长设备的使用寿命。其16位的数据总线宽度支持并行数据传输,提高了系统的整体性能。HY628400R2-70的高可靠性和稳定性使其成为许多嵌入式系统和实时控制应用的理想选择。
HY628400R2-70通常应用于需要快速数据存取和高可靠性的电子设备中。常见的应用领域包括工业控制系统、嵌入式系统、网络路由器和交换机、通信设备、医疗仪器以及高性能计算模块。该芯片的工业级温度范围特性使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行,因此广泛用于需要长期稳定工作的设备中。
CY62148BLL-70B, IDT71V416SA70B, IS61LV25616-70B