HY628400ALLG 是一款由 Hynix(现为 SK Hynix)生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用先进的CMOS技术制造,具有高速读写能力、低功耗和高可靠性等优点。HY628400ALLG 通常用于需要高速缓存和临时数据存储的嵌入式系统、工业控制设备、通信设备和消费电子产品中。该芯片封装为54引脚TSOP(Thin Small Outline Package),适用于高密度电路板设计。其容量为256K x 16位,工作电压为3.3V,具有异步操作能力,支持高速数据存取。
容量:256K x 16位
工作电压:3.3V
封装类型:54引脚TSOP
访问时间:10ns/12ns/15ns(不同型号后缀)
工作温度范围:-40°C至+85°C(工业级)
数据保持电压:2.0V至3.6V
读取电流(典型值):100mA
待机电流(典型值):10mA
封装尺寸:54-TSOP(18.4mm x 20.0mm)
HY628400ALLG 是一款高性能异步SRAM,适用于多种工业和通信应用。该芯片的访问时间有10ns、12ns和15ns三种版本,能够满足不同系统对速度的需求。其异步接口设计使得该芯片能够兼容多种处理器和控制器的地址/数据总线时序要求,无需额外的时钟控制电路,简化了系统设计。
这款SRAM芯片采用低功耗CMOS技术,在高速运行的同时保持较低的功耗水平。在正常工作模式下,典型电流为100mA,而在待机模式下电流可降至10mA以下,从而延长电池寿命,适用于便携式设备和低功耗系统。
HY628400ALLG 支持宽温度范围(-40°C至+85°C),适用于工业环境和恶劣条件下的应用。其电源电压范围为2.0V至3.6V,确保在电源波动情况下仍能可靠运行。此外,该芯片具备高抗干扰能力和良好的热稳定性,适合在高频、高噪声环境下使用。
该芯片的54引脚TSOP封装设计有助于节省PCB空间,适用于高密度电子设备的设计。其结构坚固,焊接可靠性高,适用于自动化装配流程。
HY628400ALLG SRAM芯片广泛应用于多个领域。在工业控制领域,它常用于PLC(可编程逻辑控制器)、工业计算机、嵌入式系统和自动化设备中的高速缓存或临时数据存储。在通信设备中,该芯片可用于路由器、交换机和基站设备的数据缓冲和高速缓存处理。
在消费电子产品方面,HY628400ALLG 可用于智能电视、游戏机、数码相机和高端智能家电中的数据存储模块。在汽车电子系统中,该芯片适用于车载导航系统、车载娱乐系统和车载通信模块。
此外,该芯片还可用于测试仪器、医疗设备和安防监控系统等需要高速数据处理和存储的场合。
IS61LV25616AL-10T, CY62148E, IDT71V416, AS7C3256