时间：2025/9/1 20:30:21
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HY628400ALLG-55I 是由 Hynix（现为 SK Hynix）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为 256K x 16 位，即总共 4MB。这款芯片采用 CMOS 技术制造，具有高速访问时间和低功耗的特点，适用于需要快速数据存取的嵌入式系统和工业设备。该器件采用 54 引脚 TSOP（薄型小外形封装）封装，适用于各种对空间和功耗有要求的应用场景。
容量：256K x 16 位
电压：3.3V
访问时间：55ns
封装：54-TSOP
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
接口类型：并行
功耗：典型工作电流 180mA
HY628400ALLG-55I 是一款高性能的异步 SRAM，具有 55ns 的访问时间，适合需要快速数据读写的应用。该芯片采用先进的 CMOS 工艺制造，确保了低功耗运行，同时保持高速性能。
它的工作电压为 3.3V，兼容现代嵌入式系统的电源设计，并具有较宽的工作温度范围（-40°C 至 +85°C），适合工业级应用环境。
其 54-TSOP 封装形式具有较小的体积，便于在空间受限的设计中使用。此外，HY628400ALLG-55I 支持 CE（片选）、OE（输出使能）和 WE（写使能）控制信号，提供灵活的读写控制能力，适用于多种存储器接口设计。
该芯片广泛应用于网络设备、工业控制系统、通信模块和嵌入式处理器系统中，作为高速缓存或临时数据存储单元。
HY628400ALLG-55I 常用于嵌入式系统、工业计算机、网络路由器和交换机、测试设备、自动化控制系统以及各种需要高速缓存或临时数据存储的电子设备中。其高速访问能力和低功耗特性使其成为实时系统和高性能数据处理应用的理想选择。
CY62167EAPLL-55BZS、IS61LV25616-55BLL、IDT71V124SA70PFG、AS6C25616-55BLLNTR
