容量：256K x 16
　　电压：3.3V或5V可选
　　访问时间：5.5ns
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装引脚数：54引脚
　　数据宽度：16位
　　功耗：低功耗CMOS工艺
　　读写操作：异步读写支持
　　控制信号：片选（CE）、输出使能（OE）、写使能（WE）

HY628400A-LLT2-55采用先进的CMOS制造工艺，提供低功耗和高速度的性能特点。其访问时间仅为5.5纳秒，使得该芯片非常适合用于高速缓存、数据缓冲和实时系统应用。芯片支持异步操作模式，允许与多种主控设备进行灵活的接口连接。此外，其TSOP封装形式有助于减少电路板空间占用，提高集成度。
　　该芯片的256K x 16存储结构意味着其总存储容量为4Mbit，支持16位并行数据传输。在电源供应方面，HY628400A-LLT2-55支持3.3V或5V的供电电压，增强了其在不同系统中的兼容性。工业级的工作温度范围确保其在恶劣环境下依然能够稳定运行。
　　由于其高速访问时间和低功耗特性，HY628400A-LLT2-55适用于需要频繁读写操作的应用，如图像处理、网络交换设备、高端嵌入式控制器等。同时，该芯片内置的控制信号线（如片选、输出使能、写使能）可以简化与主控处理器的连接逻辑。

HY628400A-LLT2-55广泛应用于需要高速数据存取的电子系统中。常见的应用包括嵌入式系统的高速缓存、工业控制设备的数据缓冲、通信设备的临时存储器、图像处理设备的帧缓存等。由于其异步接口和高访问速度，也常用于需要快速响应和高可靠性的实时控制系统。此外，该芯片适用于需要长时间稳定运行的工业和通信设备。

CY7C1041GN3A-10ZSXI、IS61LV25616-10B4I、IDT71V416SA10PFGI、A628400A-LLT2-55