HY628100BLL1-55I 时间：2025/9/1 20:24:48 阅读：18

HY628100BLL1-55I 是由 Hynix（现为 SK Hynix）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，采用异步设计，适用于需要快速数据访问和高稳定性的应用场景。这款SRAM芯片通常用于工业级电子设备和嵌入式系统中，提供可靠的数据存储能力。

参数

类型：SRAM
　　容量：128K x 8 位（即 1Mbit）
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：55ns
　　封装形式：54引脚 TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口：异步
　　数据宽度：8位
　　封装尺寸：标准TSOP尺寸
　　封装材料：塑料

特性

HY628100BLL1-55I SRAM芯片具有多项显著特性。首先，其55ns的访问时间确保了快速的数据读写能力，适用于对响应速度有较高要求的系统。其128K x 8位的存储结构提供了1Mbit的总容量，适合用于缓存或高速临时存储应用。该芯片采用3.3V电源供电，符合低功耗设计趋势，同时保证了稳定的运行性能。
　　此外，HY628100BLL1-55I采用异步接口设计，无需依赖系统时钟信号，简化了电路设计，提高了兼容性。54引脚TSOP封装不仅节省空间，还便于在高密度PCB设计中使用。其宽工作温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于工业控制、通信设备和车载系统等苛刻环境条件下的应用。
　　该SRAM芯片还具备低待机电流特性，有助于在非活跃状态下降低功耗，提高系统能效。整体设计兼顾高性能与低功耗，是嵌入式系统、网络设备、打印机和工业自动化设备等领域的理想选择。

应用

HY628100BLL1-55I 主要应用于需要高速数据访问和可靠存储的场景，例如工业控制设备中的缓存存储、网络通信设备中的数据缓冲、嵌入式系统的主存储器、打印机及其他外设中的临时数据存储，以及车载电子系统中的高速数据处理模块。由于其宽温工作范围和TSOP封装形式，该芯片也广泛用于对空间和稳定性要求较高的便携式设备和工业级电子产品。