时间：2025/9/2 4:41:44
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HY628100ALLT1-55 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，具有128K x 8位的存储容量，总共1Mbit。该芯片属于高速异步SRAM类别，适用于需要快速数据存取但不需要刷新操作的应用场景。其封装形式为52引脚TSOP（Thin Small Outline Package），适用于工业级温度范围，适合在较为严苛的环境中运行。该芯片广泛应用于通信设备、工业控制系统、网络设备和嵌入式系统等领域。
容量：1Mbit（128K x 8）
访问时间：55ns
电源电压：3.3V
封装类型：52-TSOP
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
数据宽度：8位
工作电流（最大）：160mA（在55ns访问时间下）
待机电流：10mA
输入/输出电平：CMOS兼容
HY628100ALLT1-55 是一款高性能异步SRAM芯片，具备高速访问能力和低功耗设计。其55ns的访问时间使其适用于对速度有一定要求的嵌入式系统和缓存应用。该芯片采用3.3V电源供电，具有CMOS兼容的输入输出电平，便于与各种控制器和系统集成。
该SRAM芯片在工作状态下最大电流为160mA，在待机模式下电流仅为10mA，具有良好的功耗控制能力，适合需要节能设计的应用场景。此外，该芯片采用TSOP封装形式，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适合空间受限的设计环境。
其工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于各种恶劣环境下的工业控制系统、通信设备和嵌入式应用。HY628100ALLT1-55 的异步接口设计无需时钟信号，简化了系统设计，提高了系统的稳定性与兼容性。
该芯片还具备高可靠性和稳定性，适用于长期运行的工业和通信设备中。其无刷新设计使得数据读写响应更快，避免了动态RAM（DRAM）所需的复杂刷新机制，降低了系统复杂度。
HY628100ALLT1-55 主要应用于需要高速、低功耗、无需刷新的存储器系统。典型应用包括嵌入式系统的高速缓存、工业控制板的临时数据存储、通信设备的缓冲区、网络路由器和交换机的数据处理缓存、图形显示控制器的帧缓存等。
由于其TSOP封装体积小巧，适合用于便携式设备和空间受限的主板设计。此外，该芯片也常用于测试设备、测量仪器、医疗电子设备等对稳定性和可靠性要求较高的领域。在需要快速数据存取的汽车电子系统中，如车载导航、ADAS系统，该芯片也可作为高速缓冲存储器使用。
CY62148EALL1-55AI, IDT71V416SA55B, IS61LV10248ALLB55
