HY628100ALLT1-55 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,具有128K x 8位的存储容量,总共1Mbit。该芯片属于高速异步SRAM类别,适用于需要快速数据存取但不需要刷新操作的应用场景。其封装形式为52引脚TSOP(Thin Small Outline Package),适用于工业级温度范围,适合在较为严苛的环境中运行。该芯片广泛应用于通信设备、工业控制系统、网络设备和嵌入式系统等领域。
容量:1Mbit(128K x 8)
访问时间:55ns
电源电压:3.3V
封装类型:52-TSOP
温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
数据宽度:8位
工作电流(最大):160mA(在55ns访问时间下)
待机电流:10mA
输入/输出电平:CMOS兼容
HY628100ALLT1-55 是一款高性能异步SRAM芯片,具备高速访问能力和低功耗设计。其55ns的访问时间使其适用于对速度有一定要求的嵌入式系统和缓存应用。该芯片采用3.3V电源供电,具有CMOS兼容的输入输出电平,便于与各种控制器和系统集成。
该SRAM芯片在工作状态下最大电流为160mA,在待机模式下电流仅为10mA,具有良好的功耗控制能力,适合需要节能设计的应用场景。此外,该芯片采用TSOP封装形式,具有较小的封装尺寸和良好的散热性能,适合空间受限的设计环境。
其工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)使其适用于各种恶劣环境下的工业控制系统、通信设备和嵌入式应用。HY628100ALLT1-55 的异步接口设计无需时钟信号,简化了系统设计,提高了系统的稳定性与兼容性。
该芯片还具备高可靠性和稳定性,适用于长期运行的工业和通信设备中。其无刷新设计使得数据读写响应更快,避免了动态RAM(DRAM)所需的复杂刷新机制,降低了系统复杂度。
HY628100ALLT1-55 主要应用于需要高速、低功耗、无需刷新的存储器系统。典型应用包括嵌入式系统的高速缓存、工业控制板的临时数据存储、通信设备的缓冲区、网络路由器和交换机的数据处理缓存、图形显示控制器的帧缓存等。
由于其TSOP封装体积小巧,适合用于便携式设备和空间受限的主板设计。此外,该芯片也常用于测试设备、测量仪器、医疗电子设备等对稳定性和可靠性要求较高的领域。在需要快速数据存取的汽车电子系统中,如车载导航、ADAS系统,该芯片也可作为高速缓冲存储器使用。
CY62148EALL1-55AI, IDT71V416SA55B, IS61LV10248ALLB55